描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B 晶体管类型:LDMOS *频率:1.2GHz ~ 1.4GHz *增益:17dB *电压 - 测试:50V *额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:130W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-1135B 供应商器件封装:CDFM2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A 晶体管类型:LDMOS *频率:1.2GHz ~ 1.4GHz *增益:17dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:130W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-1135A 供应商器件封装:CDFM2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A 晶体管类型:LDMOS *频率:1.2GHz ~ 1.4GHz *增益:17dB *电压 - 测试:50V *额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:130W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-1135A 供应商器件封装:CDFM2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 28V 440095 晶体管类型:HEMT *频率:2.5GHz *增益:21.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.2A *功率 - 输出:120W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:108MHz *增益:28.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:88A 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *功率 - 输出:1200W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A 晶体管类型:LDMOS *频率:3.1GHz ~ 3.5GHz *增益:13dB *电压 - 测试:32V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:60V 封装/外壳:SOT-1135A 供应商器件封装:CDFM2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 50V 440162 晶体管类型:HEMT *频率:2.5GHz ~ 2.7GHz *增益:15dB ~ 16dB *电压 - 测试:50V *额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *功率 - 输出:200W *电压 - 额定:50V 封装/外壳:440162 供应商器件封装:440162 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:860MHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:250W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 50V SOT467C 晶体管类型:GaN HEMT *频率:3GHz *增益:12dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:330mA *功率 - 输出:100W *电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D 晶体管类型:LDMOS *频率:1.03GHz ~ 1.09GHz *增益:20dB *电压 - 测试:28V *额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:200W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502D 供应商器件封装:LDMOST 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A 晶体管类型:LDMOS *频率:1.03GHz ~ 1.09GHz *增益:20dB *电压 - 测试:28V *额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:200W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A 晶体管类型:LDMOS *频率:1.2GHz ~ 1.4GHz *增益:17dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:250W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:SOT502A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 125V 2.5GHZ NI360 晶体管类型:HEMT *频率:2.5GHz *增益:18dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:125W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:NI-360H-2SB 供应商器件封装:NI-360H-2SB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:3.5GHz *增益:10dB *电压 - 测试:32V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:320W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM 晶体管类型:LDMOS *频率:2GHz *增益:11dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） 供应商器件封装:POWERSO-10RF（成形引线） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 25V 500MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:11.5dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:8W *电压 - 额定:25V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:10-POWERSO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 40V 870MHZ 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:16dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） 供应商器件封装:POWERSO-10RF（成形引线） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:16.9dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:35W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） 供应商器件封装:POWERSO-10RF（成形引线） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:14dB *电压 - 测试:28V *额定电流:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:10-POWERSO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET LDMOS 50V TO270 晶体管类型:LDMOS *频率:220MHz *增益:25dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *功率 - 输出:150W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:TO-270AB 供应商器件封装:TO-270 WB-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:3.4GHz ~ 3.6GHz *增益:14dB *电压 - 测试:28V *额定电流:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *功率 - 输出:9W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:3.4GHz ~ 3.6GHz *增益:14dB *电压 - 测试:28V *额定电流:16.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *功率 - 输出:9W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:920MHz ~ 960MHz *增益:19.5dB *电压 - 测试:30V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.8A *功率 - 输出:60W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:22dB *电压 - 测试:50V *额定电流:42A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:170V 封装/外壳:M177 供应商器件封装:M177 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF PWR MOSFET 500V 10A 晶体管类型:2 N 沟道（双）共源 *频率:65MHz *增益:16dB *电压 - 测试:150V *额定电流:15A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:400W *电压 - 额定:500V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1