元器件型号:3480
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晶体管类型

电流 - 集电极(ic)(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值)

电流 - 集电极截止(最大值)

不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值)

功率 - 最大值

电流 - 集电极截止(最大值)

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DDTD113ZC-7-F

型号: DDTD113ZC-7-F

品牌: Diodes Incorporated

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2211LT3G

型号: MMUN2211LT3G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2211LT1G

型号: MMUN2211LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2214LT1G

型号: MMUN2214LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2111LT1G

型号: MMUN2111LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2213LT1G

型号: MMUN2213LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2212LT1G

型号: MMUN2212LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2113LT1G

型号: MMUN2113LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2233LT1G

型号: MMUN2233LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2133LT1G

型号: MMUN2133LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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MMUN2232LT1G

型号: MMUN2232LT1G

品牌: ON Semiconductor

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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PDTC143ZT,235

型号: PDTC143ZT,235

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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PDTC143ZT,215

型号: PDTC143ZT,215

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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PDTC123JT,235

型号: PDTC123JT,235

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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PDTC123JT,215

型号: PDTC123JT,215

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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DTC114EET1G

型号: DTC114EET1G

品牌: ON Semiconductor

封装:SC-75,SOT-416

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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10+:      100+:      1000+:      3000+:     

DTC144EET1G

型号: DTC144EET1G

品牌: ON Semiconductor

封装:SC-75,SOT-416

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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DTC114YET1G

型号: DTC114YET1G

品牌: ON Semiconductor

封装:SC-75,SOT-416

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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DTA114EET1G

型号: DTA114EET1G

品牌: ON Semiconductor

封装:SC-75,SOT-416

描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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DTC143ZET1G

型号: DTC143ZET1G

品牌: ON Semiconductor

封装:SC-75,SOT-416

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

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