DDTD113ZC-7-F

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15670

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2211LT3G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15671

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2211LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15672

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2214LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15673

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2111LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15674

描述:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2213LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15675

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2212LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15676

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2113LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15677

描述:TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2233LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15678

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2133LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15679

描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

MMUN2232LT1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15680

描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:

PDTC143ZT,235

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15681

描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

PDTC143ZT,215

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15682

描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

PDTC123JT,235

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15683

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

PDTC123JT,215

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15684

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

DTC114EET1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15685

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

DTC144EET1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15686

描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

DTC114YET1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15687

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

DTA114EET1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15688

描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

DTC143ZET1G

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

编号:JTG2-15689

描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: