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制造商封装

晶体管类型

电流 - 集电极(ic)(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值)

电流 - 集电极截止(最大值)

不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值)

功率 - 最大值

电流 - 集电极截止(最大值)

频率 - 跃迁

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  • 商品名称:DDTD113ZC-7-F
  • 编  号:DDTD113ZC-7-F-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3
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  • 商品名称:MMUN2211LT3G
  • 编  号:MMUN2211LT3G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
  • 样品:
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  • 商品名称:MMUN2211LT1G
  • 编  号:MMUN2211LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:MMUN2214LT1G
  • 编  号:MMUN2214LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:MMUN2111LT1G
  • 编  号:MMUN2111LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:MMUN2213LT1G
  • 编  号:MMUN2213LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:MMUN2212LT1G
  • 编  号:MMUN2212LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:MMUN2113LT1G
  • 编  号:MMUN2113LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
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  • 商品名称:MMUN2233LT1G
  • 编  号:MMUN2233LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
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  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:MMUN2133LT1G
  • 编  号:MMUN2133LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:MMUN2232LT1G
  • 编  号:MMUN2232LT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
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  • 封  装:SOT-23-3(TO-236)
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  • 商品名称:PDTC143ZT,235
  • 编  号:PDTC143ZT,235-MK
  • 制 造 商:Nexperia USA Inc.
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23(TO-236AB)
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  • 商品名称:PDTC143ZT,215
  • 编  号:PDTC143ZT,215-MK
  • 制 造 商:Nexperia USA Inc.
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23(TO-236AB)
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  • 商品名称:PDTC123JT,235
  • 编  号:PDTC123JT,235-MK
  • 制 造 商:Nexperia USA Inc.
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23(TO-236AB)
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  • 商品名称:PDTC123JT,215
  • 编  号:PDTC123JT,215-MK
  • 制 造 商:Nexperia USA Inc.
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23(TO-236AB)
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  • 商品名称:DTC114EET1G
  • 编  号:DTC114EET1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:SC-75,SOT-416
  • 封  装:SC-75,SOT-416
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  • 商品名称:DTC144EET1G
  • 编  号:DTC144EET1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:SC-75,SOT-416
  • 封  装:SC-75,SOT-416
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  • 商品名称:DTC114YET1G
  • 编  号:DTC114YET1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:SC-75,SOT-416
  • 封  装:SC-75,SOT-416
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  • 商品名称:DTA114EET1G
  • 编  号:DTA114EET1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:SC-75,SOT-416
  • 封  装:SC-75,SOT-416
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  • 商品名称:DTC143ZET1G
  • 编  号:DTC143ZET1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:SC-75,SOT-416
  • 封  装:SC-75,SOT-416
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正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG2-15670
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
Diodes Incorporated
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编号:JTG2-15671
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG2-15672
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
库存:咨询
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编号:JTG2-15673
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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编号:JTG2-15674
描述:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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编号:JTG2-15675
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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编号:JTG2-15676
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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编号:JTG2-15677
描述:TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
库存:咨询
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编号:JTG2-15678
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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编号:JTG2-15679
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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编号:JTG2-15680
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
ON Semiconductor
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编号:JTG2-15681
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236AB)
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编号:JTG2-15682
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236AB)
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编号:JTG2-15683
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236AB)
Nexperia USA Inc.
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编号:JTG2-15684
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236AB)
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编号:JTG2-15685
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
SC-75,SOT-416
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编号:JTG2-15686
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
SC-75,SOT-416
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编号:JTG2-15687
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
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编号:JTG2-15688
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
SC-75,SOT-416
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编号:JTG2-15689
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
参数:晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:1µA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:500nA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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