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制造商(英文)

封装外壳

制造商封装

系列

igbt 类型

配置

电压 - 集射极击穿(最大值)

电流 - 集电极(ic)(最大值)

功率 - 最大值

不同?vge,ic 时的?vce(on)

电流 - 集电极截止(最大值)

不同?vce 时的输入电容(cies)

输入

ntc 热敏电阻

工作温度

包装

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  • 商品名称:IXXN110N65B4H1
  • 编  号:IXXN110N65B4H1-MK
  • 制 造 商:IXYS
  • 外  壳:SOT-227-4,MINIBLOC
  • 封  装:SOT-227B
  • 样品:
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  • 商品名称:IXDN75N120
  • 编  号:IXDN75N120-MK
  • 制 造 商:IXYS
  • 外  壳:SOT-227-4,MINIBLOC
  • 封  装:SOT-227B
  • 样品:
    • ¥0.00001+
    • ¥0.000010+
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  • 商品名称:APT75GP120JDQ3
  • 编  号:APT75GP120JDQ3-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:ISOTOP
  • 封  装:ISOTOP®
  • 样品:
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  • 商品名称:APT100GT120JRDQ4
  • 编  号:APT100GT120JRDQ4-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:ISOTOP
  • 封  装:ISOTOP®
  • 样品:
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    • ¥0.000010+
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  • 商品名称:APTGT600A60G
  • 编  号:APTGT600A60G-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:SP6
  • 封  装:SP6
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  • 商品名称:APTGT600U170D4G
  • 编  号:APTGT600U170D4G-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:D4
  • 封  装:D4
  • 样品:
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  • 商品名称:APTGL475A120D3G
  • 编  号:APTGL475A120D3G-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:D-3 模块
  • 封  装:D3
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  • 商品名称:STGE200NB60S
  • 编  号:STGE200NB60S-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:ISOTOP
  • 封  装:ISOTOP
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  • 商品名称:IXYN82N120C3H1
  • 编  号:IXYN82N120C3H1-MK
  • 制 造 商:IXYS
  • 外  壳:SOT-227-4,MINIBLOC
  • 封  装:SOT-227B
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  • 商品名称:MG06150S-BN4MM
  • 编  号:MG06150S-BN4MM-MK
  • 制 造 商:Littelfuse Inc.
  • 外  壳:S-3 模块
  • 封  装:S3
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  • 商品名称:APTGF75H120TG
  • 编  号:APTGF75H120TG-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:SP4
  • 封  装:SP4
  • 样品:
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  • 商品名称:APTGL475U120DAG
  • 编  号:APTGL475U120DAG-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:SP6
  • 封  装:SP6
  • 样品:
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  • 商品名称:MG12450WB-BN2MM
  • 编  号:MG12450WB-BN2MM-MK
  • 制 造 商:Littelfuse Inc.
  • 外  壳:模块
  • 封  装:WB
  • 样品:
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  • 商品名称:APT200GN60J
  • 编  号:APT200GN60J-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:ISOTOP
  • 封  装:ISOTOP®
  • 样品:
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  • 商品名称:APT75GP120J
  • 编  号:APT75GP120J-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:ISOTOP
  • 封  装:ISOTOP®
  • 样品:
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    • ¥0.0000100+
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  • 商品名称:APT100GT120JU2
  • 编  号:APT100GT120JU2-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:ISOTOP
  • 封  装:SOT-227
  • 样品:
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  • 商品名称:APTGT50X60T3G
  • 编  号:APTGT50X60T3G-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:SP3
  • 封  装:SP3
  • 样品:
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    • ¥0.00001000+
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  • 商品名称:APTGFQ25H120T2G
  • 编  号:APTGFQ25H120T2G-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:SP2
  • 封  装:SP2
  • 样品:
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    • ¥0.000010+
    • ¥0.0000100+
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  • 商品名称:VS-GA250SA60S
  • 编  号:VS-GA250SA60S-MK
  • 制 造 商:Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 外  壳:SOT-227-4
  • 封  装:SOT-227
  • 样品:
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    • ¥0.0000100+
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  • 商品名称:APT60GF120JRDQ3
  • 编  号:APT60GF120JRDQ3-MK
  • 制 造 商:Microsemi Corporation
  • 外  壳:ISOTOP
  • 封  装:ISOTOP®
  • 样品:
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正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG11-1
描述:IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装
SOT-227-4,MINIBLOC
SOT-227B
IXYS
1+: 287.777354 10+: 287.777354 100+: 218.013147 1000+: 204.707180 3000+: 191.673390 5000+: 185.730029 10000+: 182.985250
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暂无数据
编号:JTG11-2
描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
SOT-227-4,MINIBLOC
SOT-227B
IXYS
1+: 333.371252 10+: 333.371252 100+: 252.553979 1000+: 237.139886 3000+: 222.041092 5000+: 215.156097 10000+: 211.976450
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暂无数据
编号:JTG11-3
描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 477.251397 10+: 477.251397 100+: 361.554089 1000+: 339.487407 3000+: 317.872104 5000+: 308.015605 10000+: 303.463650
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暂无数据
编号:JTG11-4
描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 561.647886 10+: 561.647886 100+: 425.490823 1000+: 399.521900 3000+: 374.084176 5000+: 362.484666 10000+: 357.127750
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暂无数据
编号:JTG11-5
描述:IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 1.706358 10+: 1.706358 100+: 1.292696 1000+: 1.213799 3000+: 1.136516 5000+: 1.101275 10000+: 1.085000
咨询客服
暂无数据
编号:JTG11-6
描述:IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 3.412717 10+: 3.412717 100+: 2.585392 1000+: 2.427598 3000+: 2.273032 5000+: 2.202550 10000+: 2.170000
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暂无数据
编号:JTG11-7
描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 3.412717 10+: 3.412717 100+: 2.585392 1000+: 2.427598 3000+: 2.273032 5000+: 2.202550 10000+: 2.170000
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暂无数据
编号:JTG11-8
描述:IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
STMicroelectronics
1+: 354.205889 10+: 354.205889 100+: 268.337794 1000+: 251.960370 3000+: 235.917950 5000+: 228.602665 10000+: 225.224300
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编号:JTG11-9
描述:IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
SOT-227-4,MINIBLOC
SOT-227B
IXYS
1+: 480.527605 10+: 480.527605 100+: 364.036065 1000+: 341.817901 3000+: 320.054214 5000+: 310.130053 10000+: 305.546850
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编号:JTG11-10
描述:IGBT MODULE 600V 150A 500W S3
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
1+: 975.934656 10+: 975.934656 100+: 739.344437 1000+: 694.220128 3000+: 650.018847 5000+: 629.863224 10000+: 620.554900
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编号:JTG11-11
描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装
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编号:JTG11-12
描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装
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1+: 1.706358 10+: 1.706358 100+: 1.292696 1000+: 1.213799 3000+: 1.136516 5000+: 1.101275 10000+: 1.085000
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编号:JTG11-13
描述:IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装
1+: 1.706358 10+: 1.706358 100+: 1.292696 1000+: 1.213799 3000+: 1.136516 5000+: 1.101275 10000+: 1.085000
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编号:JTG11-14
描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 338.097865 10+: 338.097865 100+: 256.134746 1000+: 240.502109 3000+: 225.189241 5000+: 218.206629 10000+: 214.981900
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编号:JTG11-15
描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 443.977407 10+: 443.977407 100+: 336.346521 1000+: 315.818329 3000+: 295.710046 5000+: 286.540742 10000+: 282.306150
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编号:JTG11-16
描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 378.982213 10+: 378.982213 100+: 287.107737 1000+: 269.584730 3000+: 252.420159 5000+: 244.593178 10000+: 240.978500
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编号:JTG11-17
描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
1+: 934.333637 10+: 934.333637 100+: 707.828513 1000+: 664.627712 3000+: 622.310591 5000+: 603.014139 10000+: 594.102600
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暂无数据
编号:JTG11-18
描述:IGBT 1200V 40A 227W MODULE
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:227W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.02nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔
Microsemi Corporation
1+: 126.850688 10+: 126.850688 100+: 96.099006 1000+: 90.233808 3000+: 84.488585 5000+: 81.868784 10000+: 80.658900
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编号:JTG11-19
描述:IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:227W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.02nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):400A 功率 - 最大值:961W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.66V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
Vishay Semiconductor Diodes Division
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编号:JTG11-20
描述:IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:227W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.02nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):400A 功率 - 最大值:961W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.66V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):149A 功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.08nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装
Microsemi Corporation
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