IXXN110N65B4H1

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-1

描述:IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装

IXDN75N120

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-2

描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APT75GP120JDQ3

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-3

描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APT100GT120JRDQ4

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-4

描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APTGT600A60G

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-5

描述:IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装

APTGT600U170D4G

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-6

描述:IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APTGL475A120D3G

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-7

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装

STGE200NB60S

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-8

描述:IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

IXYN82N120C3H1

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-9

描述:IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

MG06150S-BN4MM

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-10

描述:IGBT MODULE 600V 150A 500W S3

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APTGF75H120TG

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-11

描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装

APTGL475U120DAG

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-12

描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装

MG12450WB-BN2MM

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-13

描述:IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装

APT200GN60J

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-14

描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装

APT75GP120J

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-15

描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APT100GT120JU2

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-16

描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APTGT50X60T3G

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-17

描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装

APTGFQ25H120T2G -

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-18

描述:IGBT 1200V 40A 227W MODULE

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔

VS-GA250SA60S

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-19

描述:IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.66V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装

APT60GF120JRDQ3

晶体管 - IGBT - 模块

编号:JTG11-20

描述:IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP

参数:igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.66V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A 功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装