描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

参数：晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签: 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:100mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 标签:

描述：-

原厂交期：-