描述:TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B 晶体管类型:N 通道 *频率:175MHz *增益:- *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:450W *电压 - 额定:130V 封装/外壳:STAC244B 供应商器件封装:STAC244B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF N-CH 50V 150W P-244 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz ~ 175MHz *增益:13dB ~ 22dB *电压 - 测试:50V *额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:150W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:P-244 供应商器件封装:P-244 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:HEMT N-CH 48V 50W DC-2.2GHZ 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 2.2GHz *增益:15dB *电压 - 测试:48V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *功率 - 输出:50W *电压 - 额定:160V 封装/外壳:TO-272BC 供应商器件封装:TO-272-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:3.4GHz ~ 3.6GHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *功率 - 输出:20W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A 晶体管类型:GaN HEMT *频率:3GHz ~ 3.5GHz *增益:14.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT-1227A 供应商器件封装:SOT-1227A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR 晶体管类型:2 N 沟道（双）共源 *频率:128MHz *增益:16dB *电压 - 测试:150V *额定电流:10A 噪声系数:- 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:900W *电压 - 额定:500V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:24dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:200V 封装/外壳:STAC177B 供应商器件封装:STAC177B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C 晶体管类型:LDMOS *频率:2.11GHz ~ 2.17GHz *增益:17.3dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2.4A *功率 - 输出:80W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1244C 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:2.6GHz ~ 2.7GHz *增益:17dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.73A *功率 - 输出:65W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1251-3 供应商器件封装:8-DFM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST 晶体管类型:LDMOS *频率:225MHz *增益:27.2dB *电压 - 测试:50V *额定电流:42A 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSF RF N CH 250V 20A M177 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:22dB *电压 - 测试:100V *额定电流:20A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:250V 封装/外壳:M177 供应商器件封装:M177 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 50V 440162 晶体管类型:HEMT *频率:2.5GHz ~ 2.7GHz *增益:18dB *电压 - 测试:50V *额定电流:6A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:100W *电压 - 额定:50V 封装/外壳:440162 供应商器件封装:440162 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:15.7dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:300mA *功率 - 输出:360W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1258-3 供应商器件封装:DFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:860MHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:650mA *功率 - 输出:150W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSF RF N CH 170V 50A M177 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:22dB *电压 - 测试:50V *额定电流:50A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:400W *电压 - 额定:170V 封装/外壳:M177 供应商器件封装:M177 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:3.4A *功率 - 输出:95W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1242B 供应商器件封装:CDFM8 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:108MHz *增益:23.9dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:700W *电压 - 额定:135V 封装/外壳:SOT-1214B 供应商器件封装:SOT1214B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:3.4A *功率 - 输出:95W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1242B 供应商器件封装:CDFM8 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IC TRANS RF HF/VHF/UHF 晶体管类型:N 通道 *频率:175MHz *增益:16dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:M244 供应商器件封装:M244 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:HEMT N-CH 48V 100W DC-2GHZ 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 2GHz *增益:17dB *电压 - 测试:48V *额定电流:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *功率 - 输出:100W *电压 - 额定:160V 封装/外壳:TO-272BC 供应商器件封装:TO-272-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 晶体管类型:LDMOS（双） *频率:225MHz *增益:25dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2.6A *功率 - 输出:125W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:NI-1230 供应商器件封装:NI-1230 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:2.45GHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:20mA *功率 - 输出:250W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT539B 供应商器件封装:SOT539B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780-4 晶体管类型:LDMOS（双） *频率:920MHz *增益:19.5dB *电压 - 测试:48V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:860mA *功率 - 输出:100W *电压 - 额定:105V 封装/外壳:OM780-4 供应商器件封装:OM780-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET HEMT 28V 440193 晶体管类型:HEMT *频率:3GHz *增益:13dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *功率 - 输出:60W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1 晶体管类型:N 通道 *频率:27.12MHz *增益:17dB *电压 - 测试:250V *额定电流:30A 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:750W *电压 - 额定:1000V 封装/外壳:T-1 供应商器件封装:T-1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1