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制造商(英文)

封装外壳

制造商封装

系列

fet 类型

fet 功能

漏源极电压(vdss)

电流 - 连续漏极(id)(25°c 时)

不同id,vgs 时的rds on(最大值)

不同 id 时的 vgs(th)(最大值)

不同 vgs 时的栅极电荷(qg)

不同 vds 时的输入电容(ciss)

功率 - 最大值

工作温度

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  • 商品名称:STS4DNF60L
  • 编  号:STS4DNF60L-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:8-SOIC(0.154",3.90MM 宽)
  • 封  装:8-SO
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  • 商品名称:STL8DN10LF3
  • 编  号:STL8DN10LF3-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:8-POWERVDFN
  • 封  装:POWERFLAT™(5X6)
  • 样品:
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  • 商品名称:STL15DN4F5
  • 编  号:STL15DN4F5-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:8-POWERVDFN
  • 封  装:POWERFLAT™(5X6)
  • 样品:
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  • 商品名称:FG6943010R
  • 编  号:FG6943010R-MK
  • 制 造 商:Panasonic Electronic Components
  • 外  壳:SOT-563,SOT-666
  • 封  装:SSMINI6-F3-B
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  • 商品名称:NTJD5121NT1G
  • 编  号:NTJD5121NT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 封  装:SC-88/SC70-6/SOT-363
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  • 商品名称:2N7002DW-7-F
  • 编  号:2N7002DW-7-F-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 封  装:SOT-363
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  • 商品名称:DMC2400UV-7
  • 编  号:DMC2400UV-7-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:SOT-563,SOT-666
  • 封  装:SOT-563
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  • 商品名称:DMC3400SDW-7
  • 编  号:DMC3400SDW-7-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 封  装:SOT-363
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  • 商品名称:NTZD3154NT1G
  • 编  号:NTZD3154NT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:SOT-563,SOT-666
  • 封  装:SOT-563
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  • 商品名称:DMG1016UDW-7
  • 编  号:DMG1016UDW-7-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 封  装:SOT-363
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  • 商品名称:NTJD4001NT1G
  • 编  号:NTJD4001NT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 封  装:SC-88/SC70-6/SOT-363
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  • 商品名称:DMG6601LVT-7
  • 编  号:DMG6601LVT-7-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 封  装:TSOT-26
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  • 商品名称:FDG6303N
  • 编  号:FDG6303N-MK
  • 制 造 商:Fairchild Semiconductor
  • 外  壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 封  装:SC-70-6
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  • 商品名称:2N7002DW
  • 编  号:2N7002DW-MK
  • 制 造 商:Fairchild Semiconductor
  • 外  壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 封  装:SC-70-6
  • 样品:
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  • 商品名称:DMG6602SVT-7
  • 编  号:DMG6602SVT-7-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 封  装:TSOT-23-6
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  • 商品名称:DMC2038LVT-7
  • 编  号:DMC2038LVT-7-MK
  • 制 造 商:Diodes Incorporated
  • 外  壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 封  装:TSOT-26
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  • 商品名称:NTZD5110NT1G
  • 编  号:NTZD5110NT1G-MK
  • 制 造 商:ON Semiconductor
  • 外  壳:SOT-563,SOT-666
  • 封  装:SOT-563
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正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG10-1
描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
8-SOIC(0.154",3.90MM 宽)
8-SO
STMicroelectronics
库存:咨询
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编号:JTG10-2
描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
8-POWERVDFN
POWERFLAT™(5X6)
STMicroelectronics
库存:咨询
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编号:JTG10-3
描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
8-POWERVDFN
POWERFLAT™(5X6)
STMicroelectronics
库存:咨询
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暂无数据
编号:JTG10-4
描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
SOT-563,SOT-666
SSMINI6-F3-B
Panasonic Electronic Components
库存:咨询
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编号:JTG10-5
描述:MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
ON Semiconductor
库存:咨询
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正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG10-6
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
Diodes Incorporated
1+: 0.202459 10+: 0.202459 100+: 0.153378 1000+: 0.144017 3000+: 0.134848 5000+: 0.130666 10000+: 0.128735
总额: 2.02
暂无数据
编号:JTG10-7
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
SOT-563,SOT-666
SOT-563
Diodes Incorporated
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编号:JTG10-8
描述:MOSFET N/P-CH 30V SOT363
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
Diodes Incorporated
库存:咨询
咨询客服
暂无数据
编号:JTG10-9
描述:MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
SOT-563,SOT-666
SOT-563
ON Semiconductor
库存:咨询
咨询客服
正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG10-10
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
Diodes Incorporated
库存:咨询
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暂无数据
编号:JTG10-11
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
ON Semiconductor
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编号:JTG10-12
描述:MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.8A,2.5A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):422pF @ 15V 功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
Diodes Incorporated
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暂无数据
编号:JTG10-13
描述:MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.8A,2.5A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):422pF @ 15V 功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):25V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):500mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
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编号:JTG10-14
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.8A,2.5A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):422pF @ 15V 功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):25V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):500mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):115mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
Fairchild Semiconductor
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编号:JTG10-15
描述:MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.8A,2.5A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):422pF @ 15V 功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):25V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):500mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):115mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.4A,2.8A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):400pF @ 15V 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-23-6
Diodes Incorporated
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编号:JTG10-16
描述:MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.8A,2.5A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):422pF @ 15V 功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):25V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):500mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):115mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.4A,2.8A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):400pF @ 15V 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.7A,2.6A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):530pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
Diodes Incorporated
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编号:JTG10-17
描述:MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563
参数:fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.8A,2.5A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):422pF @ 15V 功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):25V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):500mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):115mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.4A,2.8A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):400pF @ 15V 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:N 和 P 沟道 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.7A,2.6A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):530pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签: fet 类型:2 N-通道(双) fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):294mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 标签:
SOT-563,SOT-666
SOT-563
ON Semiconductor
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编号:JTG10-18
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563