元器件型号:3308
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电压 - 额定

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2SK209-BL(TE85L,F)

型号: 2SK209-BL(TE85L,F)

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:JFET N-CH SOT23

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量:

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BF862,215

型号: BF862,215

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量:

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10+:      100+:      1000+:      3000+:     

BF862,235

型号: BF862,235

品牌: Nexperia USA Inc.

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量:

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ATF-55143-TR1G

型号: ATF-55143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量:

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库存:85620

ATF-35143-TR1G

型号: ATF-35143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量:

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ATF-58143-TR1G

型号: ATF-58143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量:

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10+:      100+:      1000+:      3000+:     

PD84001

型号: PD84001

品牌: STMicroelectronics

封装:TO-243AA

描述:FET RF 18V 870MHZ

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量:

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10+:      100+:      1000+:      3000+:     

PD85004

型号: PD85004

品牌: STMicroelectronics

封装:TO-243AA

描述:FET RF 40V 870MHZ

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量:

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10+:      100+:      1000+:      3000+:     

ATF-54143-TR1G

型号: ATF-54143-TR1G

品牌: Broadcom Limited

封装:SC-82A,SOT-343

描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量:

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10+:      100+:      1000+:      3000+:     

ATF-531P8-TR1

型号: ATF-531P8-TR1

品牌: Broadcom Limited

封装:8-WFDFN 裸露焊盘

描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量:

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MW6S004NT1

型号: MW6S004NT1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:PLD-1.5

描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量:

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BLP7G22-10Z

型号: BLP7G22-10Z

品牌: Ampleon USA Inc.

封装:12-VDFN 裸露焊盘

描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量:

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MW6S010GNR1

型号: MW6S010GNR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270-2 鸥翼型

描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL

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MW6S010NR1

型号: MW6S010NR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270AA

描述:FET RF 68V 960MHZ TO270-2

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量:

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PD55003-E

型号: PD55003-E

品牌: STMicroelectronics

封装:POWERSO-10 裸露底部焊盘

描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量:

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PD57006-E

型号: PD57006-E

品牌: STMicroelectronics

封装:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量:

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MRFE6S9045NR1

型号: MRFE6S9045NR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270AA

描述:FET RF 66V 880MHZ TO-270-2

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:22.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量:

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PD20015-E

型号: PD20015-E

品牌: STMicroelectronics

封装:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:22.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:2GHz 增益:11dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量:

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CGH40006S

型号: CGH40006S

品牌: Cree/Wolfspeed

封装:6-VDFN 裸露焊盘

描述:RF MOSFET HEMT 28V 6QFN

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:22.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:2GHz 增益:11dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HEMT 频率:0Hz ~ 6GHz 增益:12dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:84V 标签: 包装: 数量:

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MRFE6S9060NR1

型号: MRFE6S9060NR1

品牌: Freescale Semiconductor - NXP

封装:TO-270AA

描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2

参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:22.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:2GHz 增益:11dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HEMT 频率:0Hz ~ 6GHz 增益:12dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:84V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:21.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA 功率 - 输出:14W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量:

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