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  • 商品名称:2SK209-BL(TE85L,F)
  • 编  号:2SK209-BL(TE85L,F)-MK
  • 制 造 商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SC-59
  • 样品:
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  • 商品名称:BF862,215
  • 编  号:BF862,215-MK
  • 制 造 商:Nexperia USA Inc.
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23(TO-236AB)
  • 样品:
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  • 商品名称:BF862,235
  • 编  号:BF862,235-MK
  • 制 造 商:Nexperia USA Inc.
  • 外  壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 封  装:SOT-23(TO-236AB)
  • 样品:
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  • 商品名称:ATF-55143-TR1G
  • 编  号:ATF-55143-TR1G-MK
  • 制 造 商:Broadcom Limited
  • 外  壳:SC-82A,SOT-343
  • 封  装:SOT-343
  • 样品:
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  • 商品名称:ATF-35143-TR1G
  • 编  号:ATF-35143-TR1G-MK
  • 制 造 商:Broadcom Limited
  • 外  壳:SC-82A,SOT-343
  • 封  装:SOT-343
  • 样品:
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  • 商品名称:ATF-58143-TR1G
  • 编  号:ATF-58143-TR1G-MK
  • 制 造 商:Broadcom Limited
  • 外  壳:SC-82A,SOT-343
  • 封  装:SOT-343
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  • 商品名称:PD84001
  • 编  号:PD84001-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:TO-243AA
  • 封  装:SOT-89
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  • 商品名称:PD85004
  • 编  号:PD85004-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:TO-243AA
  • 封  装:SOT-89
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  • 商品名称:ATF-54143-TR1G
  • 编  号:ATF-54143-TR1G-MK
  • 制 造 商:Broadcom Limited
  • 外  壳:SC-82A,SOT-343
  • 封  装:SOT-343
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  • 商品名称:ATF-531P8-TR1
  • 编  号:ATF-531P8-TR1-MK
  • 制 造 商:Broadcom Limited
  • 外  壳:8-WFDFN 裸露焊盘
  • 封  装:8-LPCC(2X2)
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  • 商品名称:MW6S004NT1
  • 编  号:MW6S004NT1-MK
  • 制 造 商:Freescale Semiconductor - NXP
  • 外  壳:PLD-1.5
  • 封  装:PLD-1.5
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  • 商品名称:BLP7G22-10Z
  • 编  号:BLP7G22-10Z-MK
  • 制 造 商:Ampleon USA Inc.
  • 外  壳:12-VDFN 裸露焊盘
  • 封  装:12-HVSON(5X6)
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  • 商品名称:MW6S010GNR1
  • 编  号:MW6S010GNR1-MK
  • 制 造 商:Freescale Semiconductor - NXP
  • 外  壳:TO-270-2 鸥翼型
  • 封  装:TO-270-2 鸥翼型
  • 样品:
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  • 商品名称:MW6S010NR1
  • 编  号:MW6S010NR1-MK
  • 制 造 商:Freescale Semiconductor - NXP
  • 外  壳:TO-270AA
  • 封  装:TO-270-2
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  • 商品名称:PD55003-E
  • 编  号:PD55003-E-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
  • 封  装:10-POWERSO
  • 样品:
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  • 商品名称:PD57006-E
  • 编  号:PD57006-E-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
  • 封  装:POWERSO-10RF(成形引线)
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  • 商品名称:MRFE6S9045NR1
  • 编  号:MRFE6S9045NR1-MK
  • 制 造 商:Freescale Semiconductor - NXP
  • 外  壳:TO-270AA
  • 封  装:TO-270-2
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  • 商品名称:PD20015-E
  • 编  号:PD20015-E-MK
  • 制 造 商:STMicroelectronics
  • 外  壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
  • 封  装:POWERSO-10RF(成形引线)
  • 样品:
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  • 商品名称:CGH40006S
  • 编  号:CGH40006S-MK
  • 制 造 商:Cree/Wolfspeed
  • 外  壳:6-VDFN 裸露焊盘
  • 封  装:6-QFN-EP(3X3)
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  • 商品名称:MRFE6S9060NR1
  • 编  号:MRFE6S9060NR1-MK
  • 制 造 商:Freescale Semiconductor - NXP
  • 外  壳:TO-270AA
  • 封  装:TO-270-2
  • 样品:
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  • 3000+:
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暂无数据
编号:JTG9-1
描述:JFET N-CH SOT23
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-59
Toshiba Semiconductor and Storage
1+: 3.277915 10+: 3.277915 100+: 2.483269 1000+: 2.331708 3000+: 2.183247 5000+: 2.115549 10000+: 2.084285
总额: 32.78
正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG9-2
描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236AB)
Nexperia USA Inc.
库存:咨询
咨询客服
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编号:JTG9-3
描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(TO-236AB)
Nexperia USA Inc.
库存:咨询
咨询客服
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编号:JTG9-4
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量:
SC-82A,SOT-343
SOT-343
Broadcom Limited
1+: 8.676833 10+: 8.676833 100+: 6.573358 1000+: 6.172167 3000+: 5.779183 5000+: 5.599983 10000+: 5.517225
库存:85620
总额: 86.77
暂无数据
编号:JTG9-5
描述:FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量:
SC-82A,SOT-343
SOT-343
Broadcom Limited
库存:咨询
咨询客服
暂无数据
编号:JTG9-6
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量:
SC-82A,SOT-343
SOT-343
Broadcom Limited
库存:咨询
咨询客服
暂无数据
编号:JTG9-7
描述:FET RF 18V 870MHZ
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量:
STMicroelectronics
库存:咨询
咨询客服
暂无数据
编号:JTG9-8
描述:FET RF 40V 870MHZ
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量:
STMicroelectronics
库存:咨询
咨询客服
暂无数据
编号:JTG9-9
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343
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SC-82A,SOT-343
SOT-343
Broadcom Limited
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编号:JTG9-10
描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量:
8-WFDFN 裸露焊盘
8-LPCC(2X2)
Broadcom Limited
库存:咨询
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暂无数据
编号:JTG9-11
描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量:
Freescale Semiconductor - NXP
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编号:JTG9-12
描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量:
12-VDFN 裸露焊盘
12-HVSON(5X6)
Ampleon USA Inc.
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编号:JTG9-13
描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量:
TO-270-2 鸥翼型
TO-270-2 鸥翼型
Freescale Semiconductor - NXP
库存:咨询
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编号:JTG9-14
描述:FET RF 68V 960MHZ TO270-2
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量:
Freescale Semiconductor - NXP
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编号:JTG9-15
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量:
POWERSO-10 裸露底部焊盘
10-POWERSO
STMicroelectronics
1+: 148.333741 10+: 148.333741 100+: 112.374046 1000+: 105.515536 3000+: 98.797318 5000+: 95.733836 10000+: 94.319050
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编号:JTG9-16
描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量:
POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
POWERSO-10RF(成形引线)
STMicroelectronics
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编号:JTG9-17
描述:FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
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Freescale Semiconductor - NXP
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编号:JTG9-18
描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:22.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:2GHz 增益:11dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量:
POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
POWERSO-10RF(成形引线)
STMicroelectronics
1+: 263.001029 10+: 263.001029 100+: 199.243204 1000+: 187.082821 3000+: 175.171180 5000+: 169.739516 10000+: 167.231050
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暂无数据
编号:JTG9-19
描述:RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:22.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:2GHz 增益:11dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HEMT 频率:0Hz ~ 6GHz 增益:12dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:84V 标签: 包装: 数量:
6-VDFN 裸露焊盘
6-QFN-EP(3X3)
Cree/Wolfspeed
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编号:JTG9-20
描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2
参数:晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:17.7dB 电压 - 测试:2.7V 额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:14.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:18dB 电压 - 测试:2V 额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:10dBm 电压 - 额定:5.5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:3V 额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA 功率 - 输出:19dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:30dBm 电压 - 额定:18V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET 频率:2GHz 增益:16.6dB 电压 - 测试:3V 额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA 功率 - 输出:20.4dBm 电压 - 额定:5V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:E-pHEMT 频率:2GHz 增益:20dB 电压 - 测试:4V 额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA 功率 - 输出:24.5dBm 电压 - 额定:7V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:1.96GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:4W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS(双),共源 频率:2.14GHz 增益:16dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA 功率 - 输出:2W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:68V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:17dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压 - 测试:28V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA 功率 - 输出:6W 电压 - 额定:65V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:22.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:10W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:2GHz 增益:11dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA 功率 - 输出:15W 电压 - 额定:40V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HEMT 频率:0Hz ~ 6GHz 增益:12dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:8W 电压 - 额定:84V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS 频率:880MHz 增益:21.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA 功率 - 输出:14W 电压 - 额定:66V 标签: 包装: 数量:
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