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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
AOK50B60D1
Datasheet 规格书
ROHS
|
Alpha Omega Semi | TO-247-3 | TO-247 |
描述:IGBT 600V 100A 312W TO247
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:312W
开关能量:2.37mJ(开),500µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:64nC
25°C 时 Td(开/关)值:26ns/68ns
测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):132ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247
标签:
|
|
AOK50B65M2
Datasheet 规格书
ROHS
|
Alpha Omega Semi | TO-247-3 | TO-247 |
描述:IGBT 650V 50A TO247
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:500W
开关能量:2.09mJ(开),1.03mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:102nC
25°C 时 Td(开/关)值:46ns/182ns
测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):327ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247
标签:
|
|
RGW60TK65DGVC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
*功率 - 最大值:72W
开关能量:480µJ(开),490µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:84nC
25°C 时 Td(开/关)值:37ns/114ns
测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):92ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGTH00TK65GC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:72W
开关能量:-
*输入类型:标准
栅极电荷:94nC
25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGTV00TK65GVC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:94W
开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:104nC
25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGW00TK65GVC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:89W
开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:141nC
25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGTH80TK65DGC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
*功率 - 最大值:66W
开关能量:-
*输入类型:标准
栅极电荷:79nC
25°C 时 Td(开/关)值:34ns/120ns
测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):58ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGTV60TK65DGVC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
*功率 - 最大值:76W
开关能量:570µJ(开),500µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:64nC
25°C 时 Td(开/关)值:33ns/105ns
测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):95ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGW00TS65DGC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:254W
开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:141nC
25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):95ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGS80TS65HRC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):73A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
*功率 - 最大值:272W
开关能量:1.05mJ(开),1.03mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:48nC
25°C 时 Td(开/关)值:37ns/112ns
测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGW80TK65DGVC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):39A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A
*功率 - 最大值:81W
开关能量:760µJ(开),720µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:110nC
25°C 时 Td(开/关)值:44ns/143ns
测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):92ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGTV00TK65DGC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:94W
开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:104nC
25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):102ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGTH00TK65DGC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:72W
开关能量:-
*输入类型:标准
栅极电荷:94nC
25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):225ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGW00TK65DGVC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM |
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:89W
开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:141nC
25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):95ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装:TO-3PFM
标签:
|
|
RGS60TS65DHRC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):56A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
*功率 - 最大值:223W
开关能量:660µJ(开),810µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:36nC
25°C 时 Td(开/关)值:28ns/104ns
测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):103ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGTV00TS65DGC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):95A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:276W
开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:104nC
25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):102ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGTVX6TS65GC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):144A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,80A
*功率 - 最大值:404W
开关能量:2.65mJ(开),1.8mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:171nC
25°C 时 Td(开/关)值:45ns/201ns
测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):400V,80A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGS00TS65HRC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):88A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:326W
开关能量:1.46mJ(开),1.29mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:58nC
25°C 时 Td(开/关)值:36ns/115ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGS50TSX2HRC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
*功率 - 最大值:395W
开关能量:1.4mJ(开),1.65mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:67nC
25°C 时 Td(开/关)值:37ns/140ns
测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):600V,25A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGTVX6TS65DGC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):144A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,80A
*功率 - 最大值:404W
开关能量:2.65mJ(开),1.8mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:171nC
25°C 时 Td(开/关)值:45ns/201ns
测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):109ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGC80TSX8RGC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):1800V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):5V @ 15V,40A
*功率 - 最大值:535W
开关能量:1.85mJ(开),1.6mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:468nC
25°C 时 Td(开/关)值:80ns/565ns
测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
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|
RGS50TSX2DHRC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
*功率 - 最大值:395W
开关能量:1.4mJ(开),1.65mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:67nC
25°C 时 Td(开/关)值:37ns/140ns
测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):182ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
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|
RGS80TSX2HRC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
*功率 - 最大值:555W
开关能量:3mJ(开),3.1mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:104nC
25°C 时 Td(开/关)值:49ns/199ns
测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
|
|
RGS80TSX2DHRC11
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | TO-247-3 | TO-247N |
描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
*功率 - 最大值:555W
开关能量:3mJ(开),3.1mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:104nC
25°C 时 Td(开/关)值:49ns/199ns
测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):198ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
标签:
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RJP60D0DPE-00#J3
Datasheet 规格书
ROHS
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Renesas Electronics America | SC-83 | 4-LDPAK |
描述:IGBT 600V 45A 122W LDPAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,22A
*功率 - 最大值:122W
开关能量:-
*输入类型:标准
栅极电荷:45nC
25°C 时 Td(开/关)值:35ns/90ns
测试条件:300V,22A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):300V,22A,5 欧姆,15V
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-83
供应商器件封装:4-LDPAK
标签:
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