辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
共 3365 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
AOK50B60D1
10+: 39.1703 100+: 38.4709 1000+: 38.1211 3000+: 37.0719
我要买
Alpha Omega Semi TO-247-3 TO-247
描述:IGBT 600V 100A 312W TO247 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):168A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:2.37mJ(开),500µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td(开/关)值:26ns/68ns 测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):132ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标签:
AOK50B65M2
10+: 48.5990 100+: 47.7312 1000+: 47.2973 3000+: 45.9955
我要买
Alpha Omega Semi TO-247-3 TO-247
描述:IGBT 650V 50A TO247 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,50A *功率 - 最大值:500W 开关能量:2.09mJ(开),1.03mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:102nC 25°C 时 Td(开/关)值:46ns/182ns 测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):327ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标签:
RGW60TK65DGVC11
10+: 51.1302 100+: 50.2172 1000+: 49.7607 3000+: 48.3911
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ(开),490µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/114ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGTH00TK65GC11
10+: 52.0921 100+: 51.1619 1000+: 50.6968 3000+: 49.3014
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGTV00TK65GVC11
10+: 52.4844 100+: 51.5472 1000+: 51.0786 3000+: 49.6728
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGW00TK65GVC11
10+: 52.5857 100+: 51.6467 1000+: 51.1771 3000+: 49.7686
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGTH80TK65DGC11
10+: 54.1424 100+: 53.1755 1000+: 52.6921 3000+: 51.2419
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/120ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGTV60TK65DGVC11
10+: 54.5220 100+: 53.5484 1000+: 53.0616 3000+: 51.6012
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ(开),500µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td(开/关)值:33ns/105ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGW00TS65DGC11
10+: 55.5978 100+: 54.6050 1000+: 54.1086 3000+: 52.6194
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGS80TS65HRC11
10+: 55.6864 100+: 54.6920 1000+: 54.1948 3000+: 52.7032
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT. *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ(开),1.03mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGW80TK65DGVC11
10+: 55.8889 100+: 54.8909 1000+: 54.3919 3000+: 52.8948
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ(开),720µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td(开/关)值:44ns/143ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGTV00TK65DGC11
10+: 59.3820 100+: 58.3216 1000+: 57.7914 3000+: 56.2008
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGTH00TK65DGC11
10+: 60.3565 100+: 59.2787 1000+: 58.7398 3000+: 57.1231
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td(开/关)值:39ns/143ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):225ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGW00TK65DGVC11
10+: 61.8119 100+: 60.7081 1000+: 60.1562 3000+: 58.5006
我要买
Rohm Semiconductor TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/180ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标签:
RGS60TS65DHRC11
10+: 61.8119 100+: 60.7081 1000+: 60.1562 3000+: 58.5006
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A *功率 - 最大值:223W 开关能量:660µJ(开),810µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:28ns/104ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):103ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGTV00TS65DGC11
10+: 61.8119 100+: 60.7081 1000+: 60.1562 3000+: 58.5006
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:276W 开关能量:1.17mJ(开),940µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:41ns/142ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGTVX6TS65GC11
10+: 60.4577 100+: 59.3781 1000+: 58.8383 3000+: 57.2189
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,80A *功率 - 最大值:404W 开关能量:2.65mJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td(开/关)值:45ns/201ns 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,80A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGS00TS65HRC11
10+: 63.9508 100+: 62.8088 1000+: 62.2378 3000+: 60.5248
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT. *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A *功率 - 最大值:326W 开关能量:1.46mJ(开),1.29mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:58nC 25°C 时 Td(开/关)值:36ns/115ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGS50TSX2HRC11
10+: 68.1272 100+: 66.9107 1000+: 66.3024 3000+: 64.4776
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A *功率 - 最大值:395W 开关能量:1.4mJ(开),1.65mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:67nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/140ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,25A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGTVX6TS65DGC11
10+: 71.7342 100+: 70.4532 1000+: 69.8128 3000+: 67.8913
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,80A *功率 - 最大值:404W 开关能量:2.65mJ(开),1.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td(开/关)值:45ns/201ns 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):109ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGC80TSX8RGC11
10+: 75.4171 100+: 74.0704 1000+: 73.3970 3000+: 71.3769
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1800V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):5V @ 15V,40A *功率 - 最大值:535W 开关能量:1.85mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:468nC 25°C 时 Td(开/关)值:80ns/565ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGS50TSX2DHRC11
10+: 83.4916 100+: 82.0007 1000+: 81.2552 3000+: 79.0189
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A *功率 - 最大值:395W 开关能量:1.4mJ(开),1.65mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:67nC 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/140ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):182ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGS80TSX2HRC11
10+: 88.7439 100+: 87.1592 1000+: 86.3668 3000+: 83.9897
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:3mJ(开),3.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:49ns/199ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RGS80TSX2DHRC11
10+: 110.3097 100+: 108.3399 1000+: 107.3550 3000+: 104.4002
我要买
Rohm Semiconductor TO-247-3 TO-247N
描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:555W 开关能量:3mJ(开),3.1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td(开/关)值:49ns/199ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):198ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247N 标签:
RJP60D0DPE-00#J3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Renesas Electronics America SC-83 4-LDPAK
描述:IGBT 600V 45A 122W LDPAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,22A *功率 - 最大值:122W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:45nC 25°C 时 Td(开/关)值:35ns/90ns 测试条件:300V,22A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):300V,22A,5 欧姆,15V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-83 供应商器件封装:4-LDPAK 标签:
  共有3365个记录    每页显示25条,本页76-100条    4/135页    首 页    上一页   1  2  3  4  5  6  7  8   下一页    尾 页      
复制成功

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922