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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
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共 3365 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
RJP60F5DPK-01#T0
10+: 38.4869 100+: 37.7996 1000+: 37.4560 3000+: 36.4251
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Renesas Electronics America TO-3P-3,SC-65-3 TO-3P
描述:IGBT 600V 80A 260.4W *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260.4W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:74nC 25°C 时 Td(开/关)值:53ns/90ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标签:
RJH60F7DPQ-A0#T0
10+: 55.3953 100+: 54.4061 1000+: 53.9115 3000+: 52.4277
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Renesas Electronics America TO-247-3 TO-247A
描述:IGBT 600V 90A 328.9W TO247A *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,50A *功率 - 最大值:328.9W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td(开/关)值:63ns/142ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):90ns 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247A 标签:
STGD4M65DF2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A *功率 - 最大值:68W 开关能量:40µJ(开),136µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns 测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
STGD3NB60SDT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:IGBT 600V 6A 48W DPAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,3A *功率 - 最大值:48W 开关能量:1.15mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:18nC 25°C 时 Td(开/关)值:125µs/- 测试条件:480V,3A,1 千欧,15V 反向恢复时间 (trr):1.7µs 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
STGD5H60DF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A *功率 - 最大值:83W 开关能量:56µJ(开),78.5µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/140ns 测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134.5ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
FGD5T120SH
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:IGBT 1200V 5A FS3 DPAK *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
STGB6NC60HDT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A *功率 - 最大值:56W 开关能量:20µJ(开),68µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签:
HGTD1N120BNS9A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252AA 标签:
ISL9V3040D3ST
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
描述:IGBT 430V 21A TO252AA *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252AA 标签:
FGD3440G2-F085
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
描述:IGBT 400V 26.9A TO252AA *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252AA 标签:
STGD18N40LZT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):420V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:29nC 25°C 时 Td(开/关)值:650ns/13.5µs 测试条件:300V,10A,5V 反向恢复时间 (trr):300V,10A,5V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
FGD3245G2-F085
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252AA
描述:IGBT 450V 23A TO252AA *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:23nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252AA 标签:
STGP3HF60HD
10+: 8.4542 100+: 8.3032 1000+: 8.2278 3000+: 8.0013
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220
描述:IGBT BIPO 600V 3A TO220 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.95V @ 15V,1.5A *功率 - 最大值:38W 开关能量:19µJ(开),12µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:12nC 25°C 时 Td(开/关)值:11ns/60ns 测试条件:400V,1.5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标签:
STGF4M65DF2
10+: 8.4542 100+: 8.3032 1000+: 8.2278 3000+: 8.0013
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220FP
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A *功率 - 最大值:23W 开关能量:40µJ(开),136µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns 测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220FP 标签:
STGD7NC60HT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:IGBT 600V 25A 70W DPAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A *功率 - 最大值:70W 开关能量:95µJ(开),115µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:35nC 25°C 时 Td(开/关)值:18.5ns/72ns 测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,7A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
STGB10NB40LZT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:IGBT 440V 20A 150W D2PAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 4.5V,10A *功率 - 最大值:150W 开关能量:2.4mJ(开),5mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:28nC 25°C 时 Td(开/关)值:1.3µs/8µs 测试条件:328V,10A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):328V,10A,1 千欧,5V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签:
STGF5H60DF
10+: 9.6186 100+: 9.4468 1000+: 9.3609 3000+: 9.1033
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STMicroelectronics TO-220-3 整包 TO-220FP
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A *功率 - 最大值:24W 开关能量:56µJ(开),78.5µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/140ns 测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):134.5ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标签:
STGD6NC60H-1
10+: 9.7198 100+: 9.5462 1000+: 9.4595 3000+: 9.1991
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STMicroelectronics TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA IPAK(TO-251)
描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A *功率 - 最大值:62.5W 开关能量:20µJ(开),68µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,3A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标签:
STGP6NC60HD
10+: 9.7198 100+: 9.5462 1000+: 9.4595 3000+: 9.1991
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220AB
描述:IGBT 600V 15A 56W TO220 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A *功率 - 最大值:56W 开关能量:20µJ(开),68µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):21ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签:
STGF7H60DF
10+: 10.5931 100+: 10.4039 1000+: 10.3093 3000+: 10.0256
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STMicroelectronics TO-220-3 整包 TO-220FP
描述:IGBT 600V 14A 24W TO-220FP *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,7A *功率 - 最大值:24W 开关能量:99µJ(开),100µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:46nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/160ns 测试条件:400V,7A,47 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):136ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标签:
STGP6M65DF2
10+: 10.5931 100+: 10.4039 1000+: 10.3093 3000+: 10.0256
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,6A *功率 - 最大值:88W 开关能量:40µJ(开),136µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns 测试条件:400V,6A,22 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):140ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标签:
STGB10NC60KT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,5A *功率 - 最大值:65W 开关能量:55µJ(开),85µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:19nC 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/72ns 测试条件:390V,5A,10欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,5A,10欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签:
STGP4M65DF2
10+: 8.3530 100+: 8.2038 1000+: 8.1292 3000+: 7.9055
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220AB
描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A *功率 - 最大值:68W 开关能量:40µJ(开),136µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns 测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签:
STGP10NC60HD
10+: 12.2510 100+: 12.0322 1000+: 11.9229 3000+: 11.5947
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220AB
描述:IGBT 600V 20A 65W TO220 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,5A *功率 - 最大值:65W 开关能量:31.8µJ(开),95µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:14.2ns/72ns 测试条件:390V,5A,10欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):22ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签:
STGB19NC60KT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A *功率 - 最大值:125W 开关能量:165µJ(开),255µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:55nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns 测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):480V,12A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签:
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