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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
RJP60F5DPK-01#T0
Datasheet 规格书
ROHS
|
Renesas Electronics America | TO-3P-3,SC-65-3 | TO-3P |
描述:IGBT 600V 80A 260.4W
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
*功率 - 最大值:260.4W
开关能量:-
*输入类型:标准
栅极电荷:74nC
25°C 时 Td(开/关)值:53ns/90ns
测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):400V,30A,5 欧姆,15V
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3P
标签:
|
|
RJH60F7DPQ-A0#T0
Datasheet 规格书
ROHS
|
Renesas Electronics America | TO-247-3 | TO-247A |
描述:IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
*IGBT 类型:沟道
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,50A
*功率 - 最大值:328.9W
开关能量:-
*输入类型:标准
栅极电荷:标准
25°C 时 Td(开/关)值:63ns/142ns
测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):90ns
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247A
标签:
|
|
STGD4M65DF2
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK |
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
*功率 - 最大值:68W
开关能量:40µJ(开),136µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:15.2nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns
测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):133ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
标签:
|
|
STGD3NB60SDT4
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK |
描述:IGBT 600V 6A 48W DPAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):25A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,3A
*功率 - 最大值:48W
开关能量:1.15mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:18nC
25°C 时 Td(开/关)值:125µs/-
测试条件:480V,3A,1 千欧,15V
反向恢复时间 (trr):1.7µs
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
标签:
|
|
STGD5H60DF
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK |
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
*功率 - 最大值:83W
开关能量:56µJ(开),78.5µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:43nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/140ns
测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):134.5ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
标签:
|
|
FGD5T120SH
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK |
描述:IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A
*功率 - 最大值:69W
开关能量:247µJ(开),94µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:6.7nC
25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns
测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
标签:
|
|
STGB6NC60HDT4
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | D2PAK |
描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A
*功率 - 最大值:56W
开关能量:20µJ(开),68µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:13.6nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns
测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):21ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
标签:
|
|
HGTD1N120BNS9A
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252AA |
描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
*IGBT 类型:NPT
*电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A
*功率 - 最大值:60W
开关能量:70µJ(开),90µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:14nC
25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns
测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252AA
标签:
|
|
ISL9V3040D3ST
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252AA |
描述:IGBT 430V 21A TO252AA
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):430V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A
*功率 - 最大值:150W
开关能量:-
*输入类型:逻辑
栅极电荷:17nC
25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs
测试条件:300V,1 千欧,5V
反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252AA
标签:
|
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FGD3440G2-F085
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252AA |
描述:IGBT 400V 26.9A TO252AA
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):400V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A
*功率 - 最大值:166W
开关能量:-
*输入类型:逻辑
栅极电荷:24nC
25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs
测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V
反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252AA
标签:
|
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STGD18N40LZT4
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK |
描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):420V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A
*功率 - 最大值:125W
开关能量:-
*输入类型:逻辑
栅极电荷:29nC
25°C 时 Td(开/关)值:650ns/13.5µs
测试条件:300V,10A,5V
反向恢复时间 (trr):300V,10A,5V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
标签:
|
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FGD3245G2-F085
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252AA |
描述:IGBT 450V 23A TO252AA
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):450V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A
*功率 - 最大值:150W
开关能量:-
*输入类型:逻辑
栅极电荷:23nC
25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs
测试条件:-
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252AA
标签:
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STGP3HF60HD
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-220-3 | TO-220 |
描述:IGBT BIPO 600V 3A TO220
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):18A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.95V @ 15V,1.5A
*功率 - 最大值:38W
开关能量:19µJ(开),12µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:12nC
25°C 时 Td(开/关)值:11ns/60ns
测试条件:400V,1.5A,100 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):85ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220
标签:
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STGF4M65DF2
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-220-3 | TO-220FP |
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
*功率 - 最大值:23W
开关能量:40µJ(开),136µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:15.2nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns
测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):133ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220FP
标签:
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STGD7NC60HT4
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | DPAK |
描述:IGBT 600V 25A 70W DPAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A
*功率 - 最大值:70W
开关能量:95µJ(开),115µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:35nC
25°C 时 Td(开/关)值:18.5ns/72ns
测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):390V,7A,10 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
标签:
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STGB10NB40LZT4
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | D2PAK |
描述:IGBT 440V 20A 150W D2PAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):440V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):40A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 4.5V,10A
*功率 - 最大值:150W
开关能量:2.4mJ(开),5mJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:28nC
25°C 时 Td(开/关)值:1.3µs/8µs
测试条件:328V,10A,1 千欧,5V
反向恢复时间 (trr):328V,10A,1 千欧,5V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
标签:
|
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STGF5H60DF
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-220-3 整包 | TO-220FP |
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
*功率 - 最大值:24W
开关能量:56µJ(开),78.5µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:43nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/140ns
测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):134.5ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP
标签:
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STGD6NC60H-1
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | IPAK(TO-251) |
描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A
*功率 - 最大值:62.5W
开关能量:20µJ(开),68µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:13.6nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns
测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):390V,3A,10 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装:IPAK(TO-251)
标签:
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STGP6NC60HD
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-220-3 | TO-220AB |
描述:IGBT 600V 15A 56W TO220
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A
*功率 - 最大值:56W
开关能量:20µJ(开),68µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:13.6nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns
测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):21ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
标签:
|
|
STGF7H60DF
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-220-3 整包 | TO-220FP |
描述:IGBT 600V 14A 24W TO-220FP
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):28A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,7A
*功率 - 最大值:24W
开关能量:99µJ(开),100µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:46nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/160ns
测试条件:400V,7A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):136ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP
标签:
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STGP6M65DF2
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-220-3 | TO-220 |
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):24A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,6A
*功率 - 最大值:88W
开关能量:40µJ(开),136µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:21.2nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns
测试条件:400V,6A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):140ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220
标签:
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STGB10NC60KT4
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | D2PAK |
描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,5A
*功率 - 最大值:65W
开关能量:55µJ(开),85µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:19nC
25°C 时 Td(开/关)值:17ns/72ns
测试条件:390V,5A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):390V,5A,10欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
标签:
|
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STGP4M65DF2
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-220-3 | TO-220AB |
描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
*IGBT 类型:沟槽型场截止
*电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):16A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
*功率 - 最大值:68W
开关能量:40µJ(开),136µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:15.2nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns
测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):133ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
标签:
|
|
STGP10NC60HD
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | TO-220-3 | TO-220AB |
描述:IGBT 600V 20A 65W TO220
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,5A
*功率 - 最大值:65W
开关能量:31.8µJ(开),95µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:19.2nC
25°C 时 Td(开/关)值:14.2ns/72ns
测试条件:390V,5A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):22ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
标签:
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STGB19NC60KT4
Datasheet 规格书
ROHS
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STMicroelectronics | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | D2PAK |
描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK
*IGBT 类型:-
*电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A
*不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A
*功率 - 最大值:125W
开关能量:165µJ(开),255µJ(关)
*输入类型:标准
栅极电荷:55nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns
测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):480V,12A,10 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装:D2PAK
标签:
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