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SI1072X-T1-GE3数据手册

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  • 商品名称:SI1072X-T1-GE3
  • 编  号:SI1072X-T1-GE3-MK
  • 制 造 商:Vishay Siliconix
  • 外  壳:SOT-563,SOT-666
  • 封  装:SC-89-6
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封装图 商品描述 封装规格 厂家品牌 价格/库存 购买数量 操作
正品芯片丝印(请登录)
编号:JTG8-17028
描述:MOSFET N-CH 30V SC89
参数:fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):93 毫欧 @ 1.3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:236mW(Ta) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SC-89-6
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