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  • 商品名称:AOD409
  • 编  号:AOD409-MK
  • 制 造 商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 外  壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 封  装:TO-252,(D-Pak)
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  • 商品名称:AOD409_001
  • 编  号:AOD409_001-MK
  • 制 造 商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 外  壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 封  装:TO-252,(D-Pak)
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  • 商品名称:AOD409_002
  • 编  号:AOD409_002-MK
  • 制 造 商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 外  壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 封  装:TO-252,(D-Pak)
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封装图 商品描述 封装规格 厂家品牌 价格/库存 购买数量 操作
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编号:JTG8-26640
描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO252
参数:fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):3600pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W(Ta),60W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
TO-252,(D-Pak)
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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编号:JTG8-51729
描述:MOSFET P-CH 60V TO252
参数:fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):3600pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W(Ta),60W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):3600pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W(Ta),60W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
TO-252,(D-Pak)
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编号:JTG8-51730
描述:MOSFET P-CH 60V TO252
参数:fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):3600pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W(Ta),60W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):3600pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W(Ta),60W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):26A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):54nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):3600pF @ 30V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W(Ta),60W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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