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封装图
商品:NTJD5121NT1G
库存: 400

NTJD5121NT1G 商品描述

商品名称 NTJD5121NT1G
厂家品牌 ON Semiconductor
商品资料 Datasheet
商品分类 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
商品描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
现货库存 400
元器件购买 0755-28435922 0755-66856351 销售在线

NTJD5121NT1G 规格参数

fet 功能 逻辑电平门
漏源极电压(vdss) 60V
电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) 295mA
不同?id,vgs 时的?rds on(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 id 时的 vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 vgs 时的栅极电荷(qg) 0.9nC @ 4.5V
不同 vds 时的输入电容(ciss) 26pF @ 20V
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
包装 带卷(TR)
数量
每包的数量 1
装置 0
针脚数 6
晶振
代码
代码图

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