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封装图
所有图像仅为示意图。应从产品数据表中获得确切的规格

BSO203SP H

厂家品牌
/ Infineon Technologies /Infineon Technologies
外壳封装 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)
产品描述 MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
详细说明
string(2) "ms"
8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) P-DSO-8 MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO P-DSO-8
包装数量 带卷(TR)
现货库存
渠道订购 内地周期1~2周 境外3~4周
厂家订购 未知
Datasheet   PDF下载地址一 Datasheet
商品属性 BSO203SP H
商品分类 晶体管 - FET,MOSFET - 单
零件状态 在售
商品厂家 Infineon Technologies
系列
*fet 类型
技术
*漏源极电压(vdss)
*电流 - 连续漏极(id)(25°c 时)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同id,vgs 时的?rds on(最大值)
不同 id 时的 vgs(th)(最大值)
不同 vgs 时的栅极电荷(qg)
*Vgs(最大值)
不同 vds 时的输入电容(ciss)
*fet 功能
*功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)
供应商器件封装 P-DSO-8
标签
包装 带卷(TR)
数量
内地交货3-5天
数量无效
数量 单价 总价
内地(含增值税13%)
价格阶梯 单价 总价
1+: 0.597225 0.60
10+: 0.597225 5.97
100+: 0.452444 45.24
1000+: 0.424830 424.83
3000+: 0.397781 1193.34
5000+: 0.385446 1927.23
10000+: 0.379750 3797.50
复制成功

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