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SPD08N50C3 |
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厂家品牌 |
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/ Infineon Technologies /Infineon Technologies | |
外壳封装 | TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63 |
产品描述 | MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK |
详细说明 |
TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63 PG-TO252-3 MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK PG-TO252-3 |
包装数量 | 带卷(TR) |
现货库存 | |
渠道订购 | 内地周期1~2周 境外3~4周 |
厂家订购 | 未知 |
Datasheet | Datasheet |
商品属性 | SPD08N50C3 | |
商品分类 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | |
零件状态 | 在售 | |
商品厂家 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
*fet 类型 | ||
技术 | ||
*漏源极电压(vdss) | ||
*电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | ||
不同id,vgs 时的?rds on(最大值) | ||
不同 id 时的 vgs(th)(最大值) | ||
不同 vgs 时的栅极电荷(qg) | ||
*Vgs(最大值) | ||
不同 vds 时的输入电容(ciss) | ||
*fet 功能 | ||
*功率 - 最大值 | ||
工作温度 | ||
安装类型 | ||
封装/外壳 | TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63 | |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 | |
标签 | ||
包装 | 带卷(TR) | |
数量 |
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
价格阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+: | ¥1.194451 | ¥1.19 |
10+: | ¥1.194451 | ¥11.94 |
100+: | ¥0.904887 | ¥90.49 |
1000+: | ¥0.849659 | ¥849.66 |
3000+: | ¥0.795561 | ¥2386.68 |
5000+: | ¥0.770893 | ¥3854.46 |
10000+: | ¥0.759500 | ¥7595.00 |