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封装图
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IPW65R065C7XKSA1

厂家品牌
/ Infineon Technologies /Infineon Technologies
外壳封装 TO-247-3
产品描述 MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细说明
string(2) "ms"
TO-247-3 PG-TO247-3 MOSFET N-CH 650V TO-247-3 PG-TO247-3
包装数量
现货库存
渠道订购 内地周期1~2周 境外3~4周
厂家订购 未知
Datasheet   PDF下载地址一 Datasheet
商品属性 IPW65R065C7XKSA1
商品分类 晶体管 - FET,MOSFET - 单
零件状态 在售
商品厂家 Infineon Technologies
系列
*fet 类型
技术
*漏源极电压(vdss)
*电流 - 连续漏极(id)(25°c 时)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同id,vgs 时的?rds on(最大值)
不同 id 时的 vgs(th)(最大值)
不同 vgs 时的栅极电荷(qg)
*Vgs(最大值)
不同 vds 时的输入电容(ciss)
*fet 功能
*功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
标签
包装
数量
内地交货3-5天
数量无效
数量 单价 总价
内地(含增值税13%)
价格阶梯 单价 总价
1+: 100.777531 100.78
10+: 100.777531 1007.78
100+: 76.346614 7634.66
1000+: 71.686962 71686.96
3000+: 67.122623 201367.87
5000+: 65.041302 325206.51
10000+: 64.080100 640801.00
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