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封装图

NTJD5121NT1G

封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
品牌:安森美半导体 ON Semiconductor
类型:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
发货:深圳 (聚龙芯城自营)
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NTJD5121NT1G一般信息
零件状态 在售
包装信息 带卷(TR)
商品类别 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
功能描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
标签注释 晶体管,MOS管,双MOS管,多个MOS管
零件资料 Datasheet规格书
NTJD5121NT1G规格参数
fet 功能 逻辑电平门
漏源极电压(vdss) 60V
电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) 295mA
不同?id,vgs 时的?rds on(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 id 时的 vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 vgs 时的栅极电荷(qg) 0.9nC @ 4.5V
不同 vds 时的输入电容(ciss) 26pF @ 20V
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
包装 带卷(TR)
数量
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