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封装图

SI4483ADY-T1-GE3

封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
品牌:威世-硅尼克斯 Vishay Siliconix
类型:晶体管 - FET,MOSFET - 单
发货:深圳 (聚龙芯城自营)
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SI4483ADY-T1-GE3一般信息
零件状态 在售
包装信息 带卷(TR)
商品类别 晶体管 - FET,MOSFET - 单
功能描述 MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
标签注释 单晶体管,FET,MOS管
零件资料 Datasheet规格书
SI4483ADY-T1-GE3规格参数
技术
fet 功能 标准
漏源极电压(vdss) 30V
电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) 19.2A(Tc)
不同id,vgs 时的?rds on(最大值) 8.8 毫欧 @ 10A,10V
不同 id 时的 vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250µA
不同 vgs 时的栅极电荷(qg) 135nC @ 10V
不同 vds 时的输入电容(ciss) 3900pF @ 15V
功率 - 最大值 5.9W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
包装 带卷(TR)
数量
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