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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 单向通道 双向通道 电压 - 反向关态(典型值) 电压 - 击穿(最小值) 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs) 功率 - 峰值脉冲 电源线路保护 应用 不同频率时的电容 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MSP3V3-M3/89A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-219AD MicroSMP(DO-219AD)
描述:TVS DIODE 3.3V 11.5V MICROSMP 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):3.3V 电压 - 击穿(最小值):4.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):11.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):87A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:150W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-219AD 供应商器件封装:MicroSMP(DO-219AD) 包装:- 数量: 每包的数量:1
MSP5.0A-M3/89A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division MicroSMP MicroSMP
描述:TVS DIODE 5V 10.9V MICROSMP 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):9.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):10.9A 功率 - 峰值脉冲:100W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:MicroSMP 供应商器件封装:MicroSMP 包装:- 数量: 每包的数量:1
VCUT0714A-HD1-GS08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division SOD-882 LLP1006-2L
描述:TVS DIODE 7V/14V 17V/30V LLP1006 类型:齐纳 单向通道:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):7V, 14V 电压 - 击穿(最小值):7.3V,14.5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):17V,30V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):5A,2A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:54W,63W 电源线路保护: 应用:RS-485 不同频率时的电容:8pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:LLP1006-2L 包装:- 数量: 每包的数量:1
VCUT0505B-HD1-GS08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division SOD-882 LLP1006-2L
描述:TVS DIODE 5.5V 16V LLP1006-2L 类型:齐纳 单向通道:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):16V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):3.5A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:56W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:LLP1006-2L 包装:- 数量: 每包的数量:1
VBUS05L1-DD1-G-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division 2-SMD,扁平引线 LLP1006-2M
描述:TVS DIODE 5.5V 17V LLP1006-2M 类型:齐纳 单向通道:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):17V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):2A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:34W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:0.33pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:LLP1006-2M 包装:- 数量: 每包的数量:1
VESD03A1B-HD1-GS08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division SOD-882 LLP1006-2L
描述:TVS DIODE 3.3V 9V LLP1006-2L 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):3.5A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:31W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:25pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:LLP1006-2L 包装:- 数量: 每包的数量:1
GSOT05-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TVS DIODE 5V 16V SOT23-3 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):16V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):30A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:480W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:260pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
VESD03-02V-G-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division SC-79,SOD-523 SOD-523
描述:TVS DIODE 3V 12V SOD523 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):12V(标准) 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):9A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:108W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:110pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 包装:- 数量: 每包的数量:1
GSOT03-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TVS DIODE 3.3V 12.3V SOT23-3 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):12.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):30A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:369W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:420pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF15A-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-219AB SMF
描述:TVS DIODE 15V 24.4V SMF 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):15V 电压 - 击穿(最小值):16.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):24.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):8.2A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:367pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:SMF 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF24A-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-219AB SMF
描述:TVS DIODE 24V 38.9V SMF 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):38.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):5.1A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:244pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:SMF 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF22A-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-219AB SMF
描述:TVS DIODE 22V 35.5V DO219AB 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):22V 电压 - 击穿(最小值):24.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):35.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):5.6A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:271pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:SMF 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF48A-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-219AB SMF
描述:TVS DIODE 48V 77.4V SMF 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):48V 电压 - 击穿(最小值):53.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):77.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):2.6A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:161pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:SMF 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF10A-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-219AB SMF
描述:TVS DIODE 10V 17V SMF 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):17V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):11.8A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:562pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:SMF 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF36A-E3-08
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-219AB SMF
描述:TVS DIODE 36V 58.1V SMF 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):36V 电压 - 击穿(最小值):40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):58.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):3.4A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:178pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:SMF 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMAJ12A-E3/61
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA DO-214AC(SMA)
描述:TVS DIODE 12V 19.9V DO214AC 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿(最小值):13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):19.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):20.1A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:DO-214AC(SMA) 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMAJ30A
10+: 0.5145 100+: 0.2940 1000+: 0.2205 3000+: 0.0809
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Littelfuse Inc. DO-214AC,SMA SMA(DO-214AC)
描述:TVS DIODE 30V 48.4V SMA 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):48.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):8.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMAJ12A
10+: 0.5145 100+: 0.2940 1000+: 0.2205 3000+: 0.0809
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Littelfuse Inc. DO-214AC,SMA SMA(DO-214AC)
描述:TVS DIODE 12V 19.9V SMA 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿(最小值):13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):19.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):20.1A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF6.0A
10+: 0.7718 100+: 0.3969 1000+: 0.3087 3000+: 0.2426
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Littelfuse Inc. SOD-123F SOD-123F
描述:TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):6V 电压 - 击穿(最小值):6.67V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):10.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):19.4A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF12A
带卷(TR)
10+: 0.3675 100+: 0.2100 1000+: 0.1575 3000+: 0.0578
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Littelfuse Inc. SOD-123F SOD-123F
描述:TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD123 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿(最小值):13.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):19.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):10.1A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SMAJ30CA
10+: 0.5145 100+: 0.2940 1000+: 0.2205 3000+: 0.0809
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Littelfuse Inc. DO-214AC,SMA SMA(DO-214AC)
描述:TVS DIODE 30V 48.4V SMA 类型:齐纳 单向通道:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):48.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):8.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMAJ58A
10+: 0.5145 100+: 0.2940 1000+: 0.2205 3000+: 0.0809
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Littelfuse Inc. DO-214AC,SMA DO-214AC(SMA)
描述:TVS DIODE 58V 93.6V DO214AC 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):58V 电压 - 击穿(最小值):64.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):93.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):4.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:DO-214AC(SMA) 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMAJ58
带卷(TR)
10+: 0.1266 100+: 0.1243 1000+: 0.1232 3000+: 0.1198
我要买
Littelfuse Inc. DO-214AC,SMA SMA(DO-214AC)
描述:TVS DIODE 58VWM 98.28VC SMA 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):58V 电压 - 击穿(最小值):61.02V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):98.28V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):4.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SMAJ5.0CA
10+: 0.5145 100+: 0.2940 1000+: 0.2205 3000+: 0.0809
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Littelfuse Inc. DO-214AC,SMA SMA(DO-214AC)
描述:TVS DIODE 5V 9.2V SMA 类型:齐纳 单向通道:齐纳 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):9.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):43.5A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA(DO-214AC) 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMF14A
3000
10+: 0.8453 100+: 0.4347 1000+: 0.3381 3000+: 0.2657
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Littelfuse Inc. SOD-123F SOD-123F
描述:TVS DIODE 14V 23.2V SOD123F 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):14V 电压 - 击穿(最小值):15.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):23.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000µs):8.6A 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护: 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 包装:- 数量:3000 每包的数量:1
  共有50064个记录    每页显示25条,本页1-25条    1/2003页   1  2  3  4  5   下一页