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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 技术 通道数 电压 - 隔离 共模瞬态抗扰度（最小值） 电流 - 输出高，低 上升/下降时间（典型值） 脉宽失真（最大） 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） 电流 - 峰值输出 电压 - 正向（vf）（典型值） 电流 - DC 正向（If） 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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共 1903 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
TLP152(TPL,E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 6-SOIC（0.179"，4.55mm 宽），5 引线 6-SO，5 引线
描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5 *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:50ns 上升/下降时间（典型值）:18ns，22ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:145ns，165ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.57V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.179"，4.55mm 宽），5 引线 供应商器件封装:6-SO，5 引线 标签: 认可:- 包装:- 数量:
VO3150A-X007T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 8-SMD，鸥翼 8-SMD
描述:OPTOISO 5.3KV 1CH GATE DRVR 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5300Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:200ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:400ns，400ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:500mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.3V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 32V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:cUR，UR 包装:- 数量:
TLP251(TP1,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 8-SMD，鸥翼 8-SMD
描述:OPTOISO 2.5KV 1CH GATE DRVR 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:5kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:1µs，1µs 电流 - 输出高，低:100mA 电流 - 峰值输出:400mA 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-20°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UR 包装:- 数量:
VO3120-X007T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 8-SMD，鸥翼 8-SMD
描述:OPTOISO 5.3KV 1CH GATE DRVR 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5300Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:200ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:400ns，400ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V（ 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 32V 工作温度:-40°C ~ 110°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:cUR，UR 包装:- 数量:
SI8261BCC-C-IS
10+: ￥14.1874 100+: ￥13.9340 1000+: ￥13.8074 3000+: ￥13.4273
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Silicon Labs 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:13.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
SI8220DB-D-IS
10+: ￥15.2631 100+: ￥14.9906 1000+: ￥14.8543 3000+: ￥14.4455
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Silicon Labs 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:30kV/µs（标准） 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，40ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.5V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:14.8V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
ACPL-P343-500E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited 6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 6-SO 伸展式
描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:70ns 上升/下降时间（典型值）:43ns，40ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:3A，3A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.268"，6.80mm 宽） 供应商器件封装:6-SO 伸展式 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:
TLP350(F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 8-DIP
描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，8ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:20mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:UR 包装:- 数量:
SI8261BCD-C-IS
10+: ￥18.9587 100+: ￥18.6201 1000+: ￥18.4509 3000+: ￥17.9430
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Silicon Labs 6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 6-SDIP 鸥翼
描述:DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:28ns 上升/下降时间（典型值）:5.5ns，8.5ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，50ns 电流 - 输出高，低:500mA 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:2.8V（ 电流 - dc 正向（if）:30mA 电压 - 电源:13.5V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:6-SDIP 鸥翼 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
FOD8316R2
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC
描述:OPTOISO 4.243KV GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:4243Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:34ns，34ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
SI8233BB-D-IS1
10+: ￥23.3250 100+: ￥22.9085 1000+: ￥22.7002 3000+: ￥22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.4V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
SI8234BB-D-IS1
10+: ￥23.3250 100+: ￥22.9085 1000+: ￥22.7002 3000+: ￥22.0755
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Silicon Labs 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:9.4V ~ 24V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
ISO5451DWR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Texas Instruments 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC *技术:容性耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5700Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:110ns，110ns 电流 - 输出高，低:1.5A， 电流 - 峰值输出:2.7A， 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CQC，CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
HCPL-3120-300E
10+: ￥31.1970 100+: ￥30.6400 1000+: ￥30.3614 3000+: ￥29.5258
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Broadcom Limited 8-SMD，鸥翼 8-DIP 鸥翼
描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-DIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:
ADUM5230ARWZ-RL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc. 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:8ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，10ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:100ns，100ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:- 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:12V ~ 18.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:UR 包装:- 数量:
FOD3182S
10+: ￥23.5148 100+: ￥23.0949 1000+: ￥22.8850 3000+: ￥22.2551
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Fairchild Semiconductor 8-SMD，鸥翼 8-SMD
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SMD *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:35kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:38ns，24ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:210ns，210ns 电流 - 输出高，低:2.5A， 电流 - 峰值输出:3A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.43V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-SMD 标签: 认可:UL 包装:- 数量:
ACPL-K342-000E
10+: ￥32.0703 100+: ￥31.4976 1000+: ￥31.2113 3000+: ￥30.3523
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Broadcom Limited 8-SOIC（0.268"，6.81mm 宽） 8-SO
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:22ns，18ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:350ns，250ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.55V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.268"，6.81mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:
ACPL-330J-500E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Broadcom Limited 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SO
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:100ns 上升/下降时间（典型值）:50ns，50ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:250ns，250ns 电流 - 输出高，低:1A，1A 电流 - 峰值输出:1.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:
HCPL-3180-300E
10+: ￥37.0315 100+: ￥36.3702 1000+: ￥36.0395 3000+: ￥35.0476
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Broadcom Limited 8-SMD，鸥翼 8-DIP 鸥翼
描述:OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP GW *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:3750Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:10kV/µs 脉宽失真（最大）:65ns 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:200ns，200ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.5V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:10V ~ 20V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SMD，鸥翼 供应商器件封装:8-DIP 鸥翼 标签: 认可:CSA，UR 包装:- 数量:
HCPL-316J-500E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Broadcom Limited 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SO
描述:OPTOISO 5KV 2CH GATE DRIVER 16SO *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:2A，2A 电流 - 峰值输出:2.5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SO 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:
ADUM7223ACCZ
10+: ￥46.3589 100+: ￥45.5311 1000+: ￥45.1172 3000+: ￥43.8754
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Analog Devices Inc. 13-VFLGA 13-LGA（5x5）
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 13LGA *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:68ns，68ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:13-VFLGA 供应商器件封装:13-LGA（5x5） 标签: 认可:- 包装:- 数量:
ADUM3221ARZ
10+: ￥46.6500 100+: ￥45.8170 1000+: ￥45.4005 3000+: ￥44.1509
我要买
Analog Devices Inc. 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:2500Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:25kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
ADUM3223BRZ
10+: ￥53.9399 100+: ￥52.9767 1000+: ￥52.4951 3000+: ￥51.0502
我要买
Analog Devices Inc. 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:54ns，54ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:7.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
ADUM3223ARZ
10+: ￥53.9399 100+: ￥52.9767 1000+: ￥52.4951 3000+: ￥51.0502
我要买
Analog Devices Inc. 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR 16SOIC *技术:磁耦合 *通道数:2 *电压 - 隔离:3000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:50kV/µs 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:59ns，59ns 电流 - 输出高，低:- 电流 - 峰值输出:4A 电压 - 正向（vf）（典型值）:- 电流 - dc 正向（if）:- 电压 - 电源:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 认可:CSA，UR，VDE 包装:- 数量:
ACNW3190-000E
10+: ￥55.3953 100+: ￥54.4061 1000+: ￥53.9115 3000+: ￥52.4277
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Broadcom Limited 8-DIP（0.400"，10.16mm） 8-DIP
描述:OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 8DIP *技术:光学耦合 *通道数:1 *电压 - 隔离:5000Vrms *共模瞬态抗扰度（最小值）:15kV/µs 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:500ns，500ns 电流 - 输出高，低:4A，4A 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向（vf）（典型值）:1.6V 电流 - dc 正向（if）:25mA 电压 - 电源:15V ~ 30V 工作温度:-40°C ~ 100°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.400"，10.16mm） 供应商器件封装:8-DIP 标签: 认可:CSA，IEC/EN/DIN， 包装:- 数量:
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