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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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350-00009
Datasheet 规格书
ROHS
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Parallax Inc. | - |
描述:PHOTORESISTOR FOR BASIC STAMP
系列:-
波长:-
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:35ms
下降时间（典型值）:5ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 38 千
工作温度:-40°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NORPS-12
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:250Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 15 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 5.4 ~ 12.
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-06S53
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-19-018
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS RES 550NM TO-18
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 9 ~ 15 千欧
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-19M51
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 20 ~ 100
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-4132
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS 500OHM TO-18
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:80Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.8 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 18 ~ 42 千
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-4140
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS 250OHM TO-18
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 800 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8.4 ~ 19.
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-4960
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:515nm
电压 - 最大值:320Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.5 ~ 17
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5110
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 0.7 ~ 10
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5112
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS 700OHM TO-18
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 670 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 6 ~ 14 千欧
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5150
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 秒时为 10 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5152
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS 400OHM TO-18
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 10 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 10 ~ 20 千
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5162
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 3 ~ 100 千
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5510
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS TYPE 5 FLAT TO-5
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:120Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 220 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 2.2 ~ 4.4
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5532
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS 10KOHM TO-5
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:320Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 11 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 110 ~ 220
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5540
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS FLAT LENS TO5 HERM
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:125Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 20 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 20 ~ 40 千
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-5910
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS TO-8 HERMETIC
系列:-
波长:550nm
电压 - 最大值:170Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 100 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1 ~ 2 千欧
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-6110
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS 170OHM TO-18
系列:-
波长:615nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 1.34 ~ 2.
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-6112
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:690nm
电压 - 最大值:100Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 21 勒克斯时为 0.17 ~ 2
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-6510
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL CDS TYPE 5 FLAT TO-5
系列:-
波长:615nm
电压 - 最大值:125Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.3 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:400 ~ 800 欧姆 @ 21 lu
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-6910
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:690nm
电压 - 最大值:170Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 千欧 67 千欧
不同光照条件下的槽电阻:25 ~ 250 欧姆 @ 21 lux
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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NSL-7910
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL
系列:-
波长:615nm
电压 - 最大值:250Vpk
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 5 秒时为 1.5 兆欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 80 ~ 240
工作温度:-60°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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PDV-P2001
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL 100K-200K OHM .89MM
系列:-
波长:-
电压 - 最大值:-
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:-
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 100 ~ 200
工作温度:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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PDV-P2002
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL 2K-6K OHM .89MM
系列:-
波长:-
电压 - 最大值:-
上升时间（典型值）:-
下降时间（典型值）:-
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:-
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 2 ~ 6 千欧
工作温度:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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PDV-P5001
Datasheet 规格书
ROHS
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Luna Optoelectronics | - |
描述:PHOTOCELL 8K-16K OHM 11MM
系列:-
波长:520nm
电压 - 最大值:350Vpk
上升时间（典型值）:55ms
下降时间（典型值）:25ms
不同暗光条件下的糟电阻（最小值）:在 10 千欧 300 千欧
不同光照条件下的槽电阻:在 10 勒克斯时为 8 ~ 16 千欧
工作温度:-30°C ~ 75°C（TA）
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
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