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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
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共 3365 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
NGD8201ANT4G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Littelfuse Inc. TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):440V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 4.5V,20A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:-/5µs 测试条件:300V,9A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,9A,1 千欧,5V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签:
NGB8245NT4G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Littelfuse Inc. TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:IGBT 490V 20A 150W D2PAK3 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):500V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 4V,15A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:逻辑 25°C 时 Td(开/关)值:- 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签:
IXGP28N60A3
10+: 32.1716 100+: 31.5971 1000+: 31.3098 3000+: 30.4481
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IXYS TO-220-3 TO-220AB
描述:IGBT *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,24A *功率 - 最大值:190W 开关能量:700µJ(开),2.4mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:66nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/300ns 测试条件:480V,24A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):26ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签:
APT25GR120B
10+: 39.1703 100+: 38.4709 1000+: 38.1211 3000+: 37.0719
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247
描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:521W 开关能量:742µJ(开),427µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:203nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/122ns 测试条件:600V,25A,4.3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,25A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标签:
APT25GT120BRG
10+: 43.8404 100+: 43.0575 1000+: 42.6661 3000+: 41.4918
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247 [B]
描述:IGBT 1200V 54A 347W TO247 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.7V @ 15V,25A *功率 - 最大值:347W 开关能量:930µJ(开),720µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/150ns 测试条件:800V,25A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):800V,25A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标签:
APT27GA90BD15
10+: 45.1946 100+: 44.3875 1000+: 43.9840 3000+: 42.7734
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247 [B]
描述:IGBT 900V 48A 223W TO247 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):79A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,14A *功率 - 最大值:223W 开关能量:413µJ(开),287µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:62nC 25°C 时 Td(开/关)值:9ns/98ns 测试条件:600V,14A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,14A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标签:
IXGA20N120A3
10+: 46.3589 100+: 45.5311 1000+: 45.1172 3000+: 43.8754
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IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263(IXGA)
描述:IGBT 1200V 40A 180W TO263 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A *功率 - 最大值:180W 开关能量:2.85mJ(开),6.47mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:50nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/290ns 测试条件:960V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(IXGA) 标签:
APT20GF120BRDG
10+: 48.2067 100+: 47.3459 1000+: 46.9155 3000+: 45.6242
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247
描述:IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):32A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):64A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,15A *功率 - 最大值:200W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:140nC 25°C 时 Td(开/关)值:17ns,93ns 测试条件:792V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标签:
APT25GT120BRDQ2G
10+: 55.3953 100+: 54.4061 1000+: 53.9115 3000+: 52.4277
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247 [B]
描述:IGBT 1200V 54A 347W TO247 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):54A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.7V @ 15V,25A *功率 - 最大值:347W 开关能量:930µJ(开),720µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/150ns 测试条件:800V,25A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):800V,25A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标签:
IXYP50N65C3
10+: 57.4456 100+: 56.4198 1000+: 55.9069 3000+: 54.3681
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IXYS TO-220-3 TO-220AB
描述:IGBT 650V 130A 600W TO220 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):130A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,36A *功率 - 最大值:600W 开关能量:1.3mJ(开),370µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:80nC 25°C 时 Td(开/关)值:22ns/80ns 测试条件:400V,36A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,36A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签:
IXGP30N120B3
10+: 57.9265 100+: 56.8921 1000+: 56.3749 3000+: 54.8233
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IXYS TO-220-3 TO-220AB
描述:IGBT 1200V 60A 300W TO220 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:3.47mJ(开),2.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:87nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/127ns 测试条件:960V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签:
IXXH80N65B4
10+: 59.6730 100+: 58.6075 1000+: 58.0747 3000+: 56.4763
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IXYS TO-247-3 TO-247(IXXH)
描述:IGBT 650V 160A 625W TO247AD *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A *功率 - 最大值:625W 开关能量:3.77mJ(开),1.2mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:38ns/120ns 测试条件:400V,80A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,80A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247(IXXH) 标签:
APT33GF120BRG
10+: 62.1030 100+: 60.9940 1000+: 60.4395 3000+: 58.7760
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247 [B]
描述:IGBT 1200V 52A 297W TO247 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):52A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):104A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:297W 开关能量:2.8mJ(开),2.8mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/210ns 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标签:
IXYH60N90C3
10+: 62.3055 100+: 61.1929 1000+: 60.6366 3000+: 58.9677
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IXYS TO-247-3 TO-247AD
描述:IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):140A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):310A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,60A *功率 - 最大值:750W 开关能量:2.7mJ(开),1.55mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:107nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/87ns 测试条件:450V,60A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):450V,60A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AD 标签:
APT30GT60BRDQ2G
10+: 69.3928 100+: 68.1537 1000+: 67.5341 3000+: 65.6754
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247 [B]
描述:IGBT 600V 64A 250W TO247 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):64A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):110A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:80µJ(开),605µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:7.5nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/225ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):22ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标签:
APT75GN60LDQ3G
10+: 70.1775 100+: 68.9244 1000+: 68.2978 3000+: 66.4180
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Microchip Technology TO-264-3,TO-264AA TO-264 [L]
描述:IGBT 600V 155A 536W TO264 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):155A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A *功率 - 最大值:536W 开关能量:2500µJ(开),2140µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:485nC 25°C 时 Td(开/关)值:47ns/385ns 测试条件:400V,75A,1 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,75A,1 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标签:
IXXH110N65C4
10+: 71.7342 100+: 70.4532 1000+: 69.8128 3000+: 67.8913
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IXYS TO-247-3 TO-247(IXXH)
描述:IGBT 650V 234A 880W TO247AD *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):234A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,110A *功率 - 最大值:880W 开关能量:2.3mJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:180nC 25°C 时 Td(开/关)值:35ns/143ns 测试条件:400V,55A,2 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,55A,2 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247(IXXH) 标签:
IXYA20N120B4HV
10+: 73.0884 100+: 71.7833 1000+: 71.1307 3000+: 69.1730
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IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263HV
描述:IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):76A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):130A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A *功率 - 最大值:375W 开关能量:3.9mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:44nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/200ns 测试条件:960mV,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):47ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263HV 标签:
IXYA20N120C4HV
10+: 73.0884 100+: 71.7833 1000+: 71.1307 3000+: 69.1730
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IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263HV
描述:IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):68A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A *功率 - 最大值:375W 开关能量:4.4mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:44nC 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/160ns 测试条件:960mV,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):53ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263HV 标签:
IXYH10N170C
10+: 75.6196 100+: 74.2693 1000+: 73.5941 3000+: 71.5686
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IXYS TO-247-3 TO-247(IXYH)
描述:IGBT 1.7KV 36A TO247 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):36A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):84A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.8V @ 15V,10A *功率 - 最大值:280W 开关能量:1.4mJ(开),700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:46nC 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/130ns 测试条件:850V,10A,10Ohm,15V 反向恢复时间 (trr):17ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247(IXYH) 标签:
IXYH100N65C3
10+: 78.1381 100+: 76.7428 1000+: 76.0452 3000+: 73.9522
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IXYS TO-247-3 TO-247(IXYH)
描述:IGBT 650V 200A 830W TO247 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):420A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,70A *功率 - 最大值:830W 开关能量:2.15mJ(开),840µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:164nC 25°C 时 Td(开/关)值:28ns/106ns 测试条件:400V,50A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247(IXYH) 标签:
IXGR48N60C3D1
10+: 79.7961 100+: 78.3712 1000+: 77.6587 3000+: 75.5213
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IXYS ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
描述:IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247 *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:125W 开关能量:410µJ(开),230µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:77nC 25°C 时 Td(开/关)值:19ns/60ns 测试条件:400V,30A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):25ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:ISOPLUS247™ 供应商器件封装:ISOPLUS247™ 标签:
IXXH80N65B4H1
10+: 80.9604 100+: 79.5147 1000+: 78.7918 3000+: 76.6233
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IXYS TO-247-3 TO-247(IXXH)
描述:IGBT 650V 160A 625W TO247AD *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):430A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A *功率 - 最大值:625W 开关能量:3.77mJ(开),1.2mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:38ns/120ns 测试条件:400V,80A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):150ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247(IXXH) 标签:
IXGH30N120B3D1
10+: 83.9726 100+: 82.4731 1000+: 81.7233 3000+: 79.4740
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IXYS TO-247-3 TO-247AD(IXGH)
描述:IGBT 1200V 300W TO247AD *IGBT 类型:PT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1200V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:300W 开关能量:3.47mJ(开),2.16mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:87nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/127ns 测试条件:960V,30A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):100ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247AD(IXGH) 标签:
APT40GT60BRG
10+: 90.6802 100+: 89.0610 1000+: 88.2513 3000+: 85.8224
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Microchip Technology TO-247-3 TO-247 [B]
描述:IGBT 600V 80A 345W TO247 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,40A *功率 - 最大值:345W 开关能量:828µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/124ns 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标签:
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