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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 安装类型 包装
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共 1652 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
DCX124EU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDA114TU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 100µA，1mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 100µA，1mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDC144EU-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DCX124EK-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SC-74R SC-74R
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74R 供应商器件封装:SC-74R 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC123JPDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSBC114YPDXV6T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:500mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMG5NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMC5NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA，100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧，4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMB2NTN
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS6002D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，60V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:185MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMD6NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMG1NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W UMT5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS6003D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，60V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:185MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMH10NTN
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMH6NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMG11NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMG8NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 UMT5
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:UMT5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PBLS2002D,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. SC-74，SOT-457 6-TSOP
描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP *晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA，1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，20V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 280mV @ 100mA，1A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 280mV @ 100mA，1A *电流 - 集电极截止（最大值）:1µA，100nA *频率 - 跃迁:185MHz *功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IMH11AT110
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 SMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN1502(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74A，SOT-753 SMV
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN2502(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-74A，SOT-753 SMV
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV *晶体管类型:2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IMH3AT110
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 SMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:SMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMD12NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT6
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 *晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMB10NTN
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT6
描述:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 *晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
UMH2NTN
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UMT6
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 *晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA *电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:UMT6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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