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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
DCX114EU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC113TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):1 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC114TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 100µA,1mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 100µA,1mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DCX123JU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC143TU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,2.5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,2.5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):-
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DDC124EU-7-F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Diodes Incorporated | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSBC114EDXV6T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | SOT-563 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMD3NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMT6 |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:UMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
UMG9NTR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 | UMT5 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装:UMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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|
DMC264040R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SOT-23-6 | 迷你型6-G4-B |
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:迷你型6-G4-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DMG264040R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SOT-23-6 | 迷你型6-G4-B |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:迷你型6-G4-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DMC261040R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SC-74A,SOT-753 | 迷你型5-G3-B |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:迷你型5-G3-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DMC2640F0R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SOT-23-6 | 迷你型6-G4-B |
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:迷你型6-G4-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DMC261020R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SC-74A,SOT-753 | 迷你型5-G3-B |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:迷你型5-G3-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DMC261060R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SC-74A,SOT-753 | 迷你型5-G3-B |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:迷你型5-G3-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
EMG8T2R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | 5-SMD,扁平引线 | EMT5 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-SMD,扁平引线
供应商器件封装:EMT5
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
EMH11T2R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Rohm Semiconductor | SOT-563,SOT-666 | EMT6 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:250MHz
*功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:EMT6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PIMC31,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SC-74,SOT-457 | 6-TSOP |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSOP
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):1 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 2.5mA,50mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:420mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PIMN31,115
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | SC-74,SOT-457 | 6-TSOP |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):1 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10 千欧
不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 2.5mA,50mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:420mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DMG264120R
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SOT-23-6 | 迷你型6-G4-B |
描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,100mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,100mA
*电流 - 集电极截止(最大值):1µA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-23-6
供应商器件封装:迷你型6-G4-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUN5313DW1T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUN5314DW1T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUN5215DW1T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
*晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MUN5135DW1T1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
*晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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MUN5333DW1T1G
Datasheet 规格书
ROHS
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ON Semiconductor | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
*晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
*电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47 千欧
不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA
*电流 - 集电极截止(最大值):500nA
*频率 - 跃迁:-
*功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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