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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MMDT5551-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 晶体管类型 :2 NPN(双) 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):160V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC206010R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-23-6 迷你型6-G4-B
描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 晶体管类型 :2 NPN(双) 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:迷你型6-G4-B 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC201010R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-74A,SOT-753 迷你型5-G3-B
描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5 晶体管类型 :2 NPN(双) 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:迷你型5-G3-B 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC204010R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-23-6 迷你型6-G4-B
描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 晶体管类型 :2 NPN(双) 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):210 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:迷你型6-G4-B 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMMT5401-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-23-6 SOT-26
描述:TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 晶体管类型 :2 PNP(双)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMMT3906W-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363 晶体管类型 :2 PNP(双)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMMT3904W-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
描述:TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363 晶体管类型 :2 NPN(双)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC204020R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-23-6 迷你型6-G4-B
描述:TRANS 2NPN 50V 0.5A MINI6 晶体管类型 :2 NPN(双) 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:160MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:迷你型6-G4-B 包装:- 数量: 每包的数量:1
ZXTC2045E6TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-23-6 SOT-26
描述:TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6 晶体管类型 :NPN,PNP 电流 - 集电极(ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :375mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):20nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):180 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 包装:- 数量: 每包的数量:1
ZXTD6717E6TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-23-6 SOT-26
描述:TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 晶体管类型 :NPN,PNP 电流 - 集电极(ic)(最大值):1.5A,1.25A 电压 - 集射极击穿(最大值):15V,12V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :245mV @ 20mA,1.5A / 240mV @ 100mA,1.25A 电流 - 集电极截止(最大值):10nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250 @ 500mA,2V / 200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:180MHz,220MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 包装:- 数量: 每包的数量:1
ZXTD720MCTA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 8-WDFN 裸露焊盘 8-DFN(3X2)
描述:TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN 晶体管类型 :2 PNP(双) 电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :370mV @ 250mA,2.5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 1.5A,2V 功率 - 最大值:1.7W 频率 - 跃迁:190MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(3X2) 包装:- 数量: 每包的数量:1
ULN2803ADWR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Texas Instruments 18-SOIC(0.295",7.50MM 宽) 18-SOIC
描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 晶体管类型 :8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 500µA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:18-SOIC(0.295",7.50MM 宽) 供应商器件封装:18-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
ZXTD09N50DE6TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-23-6 SOT-26
描述:TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 晶体管类型 :2 NPN(双) 电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :270mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:215MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMPQ3904
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:TRANS 4NPN 40V 0.2A 16SOIC 晶体管类型 :4 NPN(四路) 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMPQ2222A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 16-SOIC
描述:TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC 晶体管类型 :4 NPN(四路) 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
ULN2803ADW
10+: 15.6934 100+: 15.4132 1000+: 15.2731 3000+: 14.8527
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Texas Instruments 18-SOIC(0.295",7.50MM 宽) 18-SOIC
描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 晶体管类型 :8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 500µA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:18-SOIC(0.295",7.50MM 宽) 供应商器件封装:18-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
ULN2804A
10+: 11.0993 100+: 10.9011 1000+: 10.8020 3000+: 10.5047
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STMicroelectronics 18-DIP(0.300",7.62MM) 18-DIP
描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 晶体管类型 :8 NPN 达林顿 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :1.6V @ 500µA,350mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 350mA,2V 功率 - 最大值:2.25W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-20°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:18-DIP(0.300",7.62MM) 供应商器件封装:18-DIP 包装:- 数量: 每包的数量:1
ZHB6790TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-223-8 SOT-223
描述:TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223 晶体管类型 :2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥) 电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :750mV @ 50mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SOT-223 包装:- 数量: 每包的数量:1
STA413A
10+: 35.1457 100+: 34.5181 1000+: 34.2043 3000+: 33.2629
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Sanken 10-SIP 10-SIP
描述:TRANS 4NPN 35V 3A 10-SIP 晶体管类型 :4 NPN(四路) 电流 - 集电极(ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):35V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :500mV @ 5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):500 @ 500mA,4V 功率 - 最大值:4W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:10-SIP 供应商器件封装:10-SIP 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt SSM2212RZ-R7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc. 8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 8-SOIC
描述:TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC 晶体管类型 :2 NPN(双)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :200mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):500pA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
UML23NTR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 UMT6
描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO 晶体管类型 :NPN + 齐纳二极管(隔离式) 电流 - 集电极(ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:UMT6 包装:- 数量:- 每包的数量:1
alt SSM2212RZ
10+: 72.5315 100+: 71.2363 1000+: 70.5887 3000+: 68.6459
我要买
Analog Devices Inc. 8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 8-SOIC
描述:TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC 晶体管类型 :2 NPN(双)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :200mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):500pA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt SSM2220SZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Analog Devices Inc. 8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 8-SOIC
描述:TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC 晶体管类型 :2 PNP(双)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):36V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :100mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):80 @ 1mA,36V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
MAT14ARZ
10+: 115.2202 100+: 113.1627 1000+: 112.1340 3000+: 109.0477
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Analog Devices Inc. 14-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 14-SO
描述:TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO 晶体管类型 :4 NPN(四)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :60mV @ 100µA,1mA 电流 - 集电极截止(最大值):3nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 供应商器件封装:14-SO 包装:- 数量: 每包的数量:1
MAT01GHZ
10+: 216.6960 100+: 212.8265 1000+: 210.8917 3000+: 205.0873
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Analog Devices Inc. TO-78-6 金属罐 TO-78-6
描述:TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6 晶体管类型 :2 NPN(双)配对 电流 - 集电极(ic)(最大值):25mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) :800mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):400nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:450MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-78-6 金属罐 供应商器件封装:TO-78-6 包装:- 数量: 每包的数量:1
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