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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 噪声系数（db，不同 f 时的典型值） 增益 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BFP840ESDH6327XTSA1
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Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 SOT-343
描述:RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:2.25V *频率 - 跃迁:80GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.85dB @ 5.5GHz *增益:18.5dB *功率 - 最大值 :75mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 10mA，1.8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP740FH6327XTSA1
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Infineon Technologies 4-SMD，扁平引线 4-TSFP
描述:RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:4.7V *频率 - 跃迁:42GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz *增益:27.5dB *功率 - 最大值 :160mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商器件封装:4-TSFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP540H6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 PG-SOT343-4
描述:RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:5V *频率 - 跃迁:30GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz *增益:16dB *功率 - 最大值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 20mA，3.5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP450H6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 PG-SOT343-4
描述:RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:5V *频率 - 跃迁:24GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *增益:15.5dB *功率 - 最大值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 50mA，4V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFS481H6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 P-SOT363-6
描述:RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 *晶体管类型:2 NPN（双） *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:20dB *功率 - 最大值 :175mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:P-SOT363-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFQ19SH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies TO-243AA SOT-89-3
描述:RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:15V *频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3dB @ 1.8GHz *增益:7dB *功率 - 最大值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 70mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:120mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF321
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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M/A-Com Technology Solutions 244-04 244-04，1 型
描述:RF TRANS NPN 33V 244-04 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:33V *频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *增益:13dB *功率 - 最大值 :10W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.1A 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:244-04 供应商器件封装:244-04，1 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF393
10+: ￥1012.8597 100+: ￥994.7729 1000+: ￥985.7295 3000+: ￥958.5993
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M/A-Com Technology Solutions 744A-01 744A-01，1 型
描述:RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01 *晶体管类型:2 NPN（双）共发射极 *电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *增益:8.5dB *功率 - 最大值 :100W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1A，5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:16A 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:744A-01 供应商器件封装:744A-01，1 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF10005
10+: ￥1178.8431 100+: ￥1157.7924 1000+: ￥1147.2670 3000+: ￥1115.6908
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M/A-Com Technology Solutions 3.36 336E-02，1 型
描述:TRANS 5W 960MHZ-1215MHZ *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:55V *频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *增益:8.5dB ~ 10.3dB *功率 - 最大值 :25W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 500mA，5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.25mA 工作温度:200°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:3.36 供应商器件封装:336E-02，1 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MT3S16U(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-70，SOT-323 USM
描述:RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:5V *频率 - 跃迁:4GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 1GHz *增益:4.5dBi *功率 - 最大值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 5mA，1V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:60mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC2714-O(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 S-MINI
描述:RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:30V *频率 - 跃迁:550MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 100MHz *增益:23dB *功率 - 最大值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 1mA，6V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-MINI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DSC5G0200L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-85 SMINI3-F2-B
描述:RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:20V *频率 - 跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 100MHz *增益:24dB *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:65 @ 1mA，6V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:15mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:SMINI3-F2-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC5084-O(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 S-MINI
描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *增益:11dB *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-MINI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFR181WH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-70，SOT-323 PG-SOT323-3
描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:19dB *功率 - 最大值 :175mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP 181 E7764
带卷（TR）
10+: ￥0.0886 100+: ￥0.0870 1000+: ￥0.0862 3000+: ￥0.0838
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Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA PG-SOT143-4
描述:TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:17.5dB ~ 21dB *功率 - 最大值 :175mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 70mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:20mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
BFP196WH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 PG-SOT343-4
描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:7.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:12.5dB ~ 19dB *功率 - 最大值 :700mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 50mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC5087YTE85LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-61AA SMQ
描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *增益:13dB *功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SMQ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFR193FH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SOT-723 PG-TSFP-3
描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:12.5dB *功率 - 最大值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFR 460L3 E6327
带卷（TR）
10+: ￥0.1139 100+: ￥0.1119 1000+: ￥0.1109 3000+: ￥0.1078
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Infineon Technologies SC-101，SOT-883 PG-TSLP-3
描述:TRANS RF NPN 5.8V 50MA 3TSLP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:5.8V *频率 - 跃迁:22GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz *增益:16dB *功率 - 最大值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:90 @ 20mA，3V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
BFP 193 E6327
带卷（TR）
10+: ￥0.1392 100+: ￥0.1367 1000+: ￥0.1355 3000+: ￥0.1318
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Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA PG-SOT143-4
描述:TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz *增益:12dB ~ 18dB *功率 - 最大值 :580mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
2SC5085-Y(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-70，SOT-323 USM
描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz *增益:11dB ~ 16.5dB *功率 - 最大值 :100mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:80mA 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SC4713KT146S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:RF TRANS NPN 6V 800MHZ SMT3 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:6V *频率 - 跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- *增益:- *功率 - 最大值 :200mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:180 @ 5mA，5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFU520XRR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-143R SOT-143R
描述:RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:12V *频率 - 跃迁:10.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz *增益:20dB *功率 - 最大值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-143R 供应商器件封装:SOT-143R 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP420FH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies 4-SMD，扁平引线 4-TSFP
描述:RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V *频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz *增益:19.5dB *功率 - 最大值 :160mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，4V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:35mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商器件封装:4-TSFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFP405H6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 SOT-343
描述:RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 *晶体管类型:NPN *电压 - 集射极击穿（最大值）:5V *频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.25dB @ 1.8GHz *增益:23dB *功率 - 最大值 :75mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，4V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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