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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 噪声系数（db，不同 f 时的典型值） 增益 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BFU730F,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SOT-343F 4-DFP
描述:RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.8V 频率 - 跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz 增益:- 功率 - 最大值 :197mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:205 @ 2mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFT92,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:RF TRANS PNP 15V 5GHZ TO236AB 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 14mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:25mA 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
LM3046MX/NOPB
带卷（TR）
10+: ￥0.4430 100+: ￥0.4351 1000+: ￥0.4311 3000+: ￥0.4192
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Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90MM 宽） 14-SOICN
描述:IC TRANSISTOR ARRAY 14-SOIC 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.25dB @ 1kHz 增益:- 功率 - 最大值 :750mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 1mA，3V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90MM 宽） 供应商器件封装:14-SOICN 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
BFQ149,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-243AA SOT-89-3
描述:RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT89-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值 :1W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 70mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
HFA3096BZ
10+: ￥84.6560 100+: ￥83.1443 1000+: ￥82.3884 3000+: ￥80.1208
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Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V，15V 频率 - 跃迁:8GHz，5.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值 :150mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF314
10+: ￥391.9816 100+: ￥384.9820 1000+: ￥381.4821 3000+: ￥370.9826
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M/A-Com Technology Solutions 211-07 211-07，1 型
描述:RF TRANS NPN 35V 211-07 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:13.5dB 功率 - 最大值 :30W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 1.5A，5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:3.4A 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07，1 型 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF1150MB
10+: ￥422.2168 100+: ￥414.6772 1000+: ￥410.9074 3000+: ￥399.5981
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M/A-Com Technology Solutions 332A-03 332A-03
描述:TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ 电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:9.8dB 功率 - 最大值 :150W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:12A 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:332A-03 供应商器件封装:332A-03 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF422
10+: ￥772.9905 100+: ￥759.1871 1000+: ￥752.2854 3000+: ￥731.5803
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M/A-Com Technology Solutions 211-11，2 型 211-11，2 型
描述:RF TRANS NPN 35V 211-11 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值 :150W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 5A，5V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:20A 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11，2 型 供应商器件封装:211-11，2 型 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF448
10+: ￥1146.0135 100+: ￥1125.5489 1000+: ￥1115.3167 3000+: ￥1084.6199
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M/A-Com Technology Solutions 211-11，2 型 211-11，2 型
描述:RF TRANS NPN 50V 211-11 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:14dB 功率 - 最大值 :250W 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:10 @ 5A，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:16A 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:211-11，2 型 供应商器件封装:211-11，2 型 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBTH81
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBTH10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:0
MMBTH10LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:650MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 4mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBTH10-4LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 频率 - 跃迁:800MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:120 @ 4mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBT5179
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:5dB @ 200MHz 增益:15dB 功率 - 最大值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:25 @ 3mA，1V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBT918LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:600MHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:11dB 功率 - 最大值 :225mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 3mA，1V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:1
PRF947,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值 :250mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:50 @ 5mA，6V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFU550AR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFR 92P E6327
带卷（TR）
10+: ￥0.1392 100+: ￥0.1367 1000+: ￥0.1355 3000+: ￥0.1318
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Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 PG-SOT23-3
描述:TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值 :280mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 15mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:45mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
BFR93AWH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-70，SOT-323 PG-SOT323-3
描述:RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 15.5dB 功率 - 最大值 :300mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:70 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:90mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFU520WX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SC-70-3（SOT323）
描述:RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB @ 900MHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323） 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFU520AR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.7dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 5mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFU530AR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 10mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:40mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFS17NTA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V 频率 - 跃迁:3.2GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值 :330mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:56 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFU725F/N1,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. SOT-343 反向插针 4-SO
描述:RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.8V 频率 - 跃迁:55GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 增益:10dB ~ 24dB 功率 - 最大值 :136mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:160 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:40mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-343 反向插针 供应商器件封装:4-SO 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFU550WX
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SC-70
描述:RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数（db，不同 f 时的典型值）:0.6dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值 :450mW 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:60 @ 15mA，8V 电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 包装:- 数量: 每包的数量:1
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