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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
DDTD113ZC-7-F
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):1 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 2.5mA,50mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2211LT3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2211LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2214LT1G
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2111LT1G
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2213LT1G
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2212LT1G
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):22 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):22 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2113LT1G
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2233LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMUN2133LT1G
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量:3000 每包的数量:1
MMUN2232LT1G
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):4.7 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC143ZT,235
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC143ZT,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC123JT,235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC123JT,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100mV @ 250µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114EET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75,SOT-416 SC-75,SOT-416
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75,SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC144EET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75,SOT-416 SC-75,SOT-416
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75,SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114YET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75,SOT-416 SC-75,SOT-416
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75,SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTA114EET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75,SOT-416 SC-75,SOT-416
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75,SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC143ZET1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75,SOT-416 SC-75,SOT-416
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 1mA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75,SOT-416 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN5211T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70,SOT-323 SC-70-3(SOT323)
描述:TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:202mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MUN2211T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):10 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):10 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250mV @ 300µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC043ZEBTL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-89,SOT-490 EMT3F
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,5mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):- *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC144EU,135
10+: 0.2278 100+: 0.2237 1000+: 0.2217 3000+: 0.2156
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Nexperia USA Inc. SC-70,SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC144EU,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-70,SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA *电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(r1)(欧姆):47 kOhms 电阻器 - 发射极基底(r2)(欧姆):47 kOhms *不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150mV @ 500µA,10mA 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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