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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
DTC143EUAT106
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Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 UMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTA114EUAT106
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Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 UMT3
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC144EKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC144EUAT106
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 UMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC124EKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:30mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC143XKAT146
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC113ZUAT106
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Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 UMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDTC114ECA-7-F
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FJN4301RTA
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Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:200MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FJN3303RTA
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Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
FJN3302RTA
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Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FJN3305RTA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:300mW 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDTC143ZCA-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDTC114YCA-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DDTC114EUA-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC143ZMT2L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SOT-723 VMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC123JMT2L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SOT-723 VMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114EETL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTA114EETL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTD123YT,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTD113ZT,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 2.5mA，50mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114YETL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC144EETL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC143EETL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC123JETL
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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