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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
PDTC114EU,115
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC114EU,135
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC114YU,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC114ET,235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC114ET,215
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:230MHz *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC144ET,215
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC144ETVL
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTA114ET,215
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTA114ET,235
10+: ￥0.2278 100+: ￥0.2237 1000+: ￥0.2217 3000+: ￥0.2156
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTA143ET,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC124ET,235
10+: ￥0.2278 100+: ￥0.2237 1000+: ￥0.2217 3000+: ￥0.2156
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC124ET,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTA114EU,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:180MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTA114EU,135
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:180MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC114YT,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:100mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PDTC143ET,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA *频率 - 跃迁:1µA *功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114EKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT23-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114EUAT106
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 UMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114YUAT106
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 UMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:70mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC143ZKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT23-3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC143ZUAT106
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 UMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTA114EKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:50mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC123JKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC114YKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 250µA，5mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DTC143EKAT146
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SMT3
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300mV @ 500µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:250MHz *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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