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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极（ic）（最大值） 电压 - 集射极击穿（最大值） 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） 电流 - 集电极截止（最大值） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
ZXTN25100DZTA
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Diodes Incorporated TO-243AA SOT-89-3
描述:TRANS NPN 100V 2.5A SOT89 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:345mV @ 250mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *功率 - 最大值:2.4W *频率 - 跃迁:175MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标签:
ZXTN07045EFFTA
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Diodes Incorporated SOT-23-3 扁平引线 SOT-23F
描述:TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:280mV @ 80mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:500 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:1.5W *频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 供应商器件封装:SOT-23F 标签:
ZXTN25100DGTA
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 100V 3A SOT223 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:300 @ 10mA，2V *功率 - 最大值:3W *频率 - 跃迁:175MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
MJD45H11TF
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Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 TO-252-3
描述:TRANS PNP 80V 8A DPAK *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 4A，1V *功率 - 最大值:1.75W *频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标签:
MJD45H11TM
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Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 TO-252-3
描述:TRANS PNP 80V 8A DPAK *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 4A，1V *功率 - 最大值:1.75W *频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标签:
MJD41CT4G
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ON Semiconductor TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 DPAK-3
描述:TRANS NPN 100V 6A DPAK *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:15 @ 3A，4V *功率 - 最大值:1.75W *频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK-3 标签:
ZXTN19100CFFTA
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Diodes Incorporated SOT-23-3 扁平引线 SOT-23F
描述:TRANS NPN 100V 4.5A SOT23F-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:235mV @ 450mA，4.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 100mA，2V *功率 - 最大值:1.5W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 供应商器件封装:SOT-23F 标签:
FZT558TA
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS PNP 400V 0.2A SOT223 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 50mA，10V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
FZT458TA
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 400V 0.3A SOT-223 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 50mA，10V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
MJD243T4G
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ON Semiconductor TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 DPAK-3
描述:TRANS NPN 100V 4A DPAK *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，1V *功率 - 最大值:1.4W *频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK-3 标签:
STN851
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STMicroelectronics TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 60V 5A SOT-223 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:150 @ 2A，1V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
FZT605TA
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN DARL 120V 1.5A SOT223 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 1A，5V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
FZT658TA
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:40 @ 200mA，10V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
FZT600TA
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN DAR 140V 2000MA SOT223 *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 10mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:2000 @ 500mA，10V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
FZT653TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 100V 2A SOT-223 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:175MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
FZT560TA
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS PNP 500V 0.15A SOT223 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:80 @ 50mA，10V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
ZXTP2025FTA
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 50V 5A SOT23-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:200mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
ZXTN2031FTA
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 50V 5A SOT23-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:170mV @ 250mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
ZXTP2027FTA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 60V 4A SOT23-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:240mV @ 200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，2V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:165MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
ZXTP2029FTA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 100V 3A SOT23-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
ZXTN2018FTA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 60V 5A SOT23-3 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:210mV @ 300mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 2A，1V *功率 - 最大值:1.2W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
ZXTP23015CFHTA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 15V 5A SOT23-3 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:190mV @ 240mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:200 @ 500mA，2V *功率 - 最大值:1.25W *频率 - 跃迁:270MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签:
FZT749TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS PNP -25V -3000MA SOT-223 *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极（ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:600mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:100 @ 1A，2V *功率 - 最大值:2W *频率 - 跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
MJD3055T4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 D-PAK
描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:20 @ 4A，4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-PAK 标签:
FZT1051ATA
10+: ￥7.8720 100+: ￥7.7315 1000+: ￥7.6612 3000+: ￥7.4503
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Diodes Incorporated TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 40V 5A SOT-223 *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极（ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V *不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:340mV @ 100mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:270 @ 1A，2V *功率 - 最大值:2.5W *频率 - 跃迁:155MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 每包数量:- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签:
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