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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 电流 - 集电极(ic)(最大值) 电压 - 集射极击穿(最大值) 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值) 电流 - 集电极截止(最大值) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值) 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 安装类型 工作温度
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MMBT2222ALT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:TRANS NPN 40V 600MA SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:225mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23
MMBT2907ALT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
MMBT3906LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
MMBT3904LT1G
10+: 0.2205 100+: 0.1260 1000+: 0.0945 3000+: 0.0347
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
MMBT3904-7-F
10+: 0.2940 100+: 0.1680 1000+: 0.1260 3000+: 0.0462
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3
MMBT2222A-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3
MMBT2222A-TP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23
BC817-40,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS NPN 45V 0.5A SOT23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
BC817-40,235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS NPN 45V 500MA TO236AB 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):250 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
MMBT3904
10+: 0.1470 100+: 0.0840 1000+: 0.0630 3000+: 0.0231
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Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:270MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3
MMBT2907A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23
MMBT3906
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3
MMBT2222A
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:270MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23
MMBT4401
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):750mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23
BC847BT-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-523 SOT-523
描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT523 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523
MMBT3904T-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-523 SOT-523
描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT523 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523
DSC2A01T0L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 迷你型3-G3-B
描述:TRANS NPN 40V 0.05A MINI3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G3-B
2SC3326-B,LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor and Storage TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236
描述:TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):350 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236
FMMTA42TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3
BCP56T3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223
BCP56T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-261-4,TO-261AA SOT-223
描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223
FMMT495TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 150V 1A SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):10 @ 250mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3
FMMT6517TA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):350V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:330mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3
NSS40201LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:TRANS NPN 40V 2A SOT23-3 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):115mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:460mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
BCX56-16,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-243AA SOT-89-3
描述:TRANS NPN 80V 1A SOT89 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1.25W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3
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