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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 电压 功率耗散(最大值) 电压 - 输出 电压 - 偏移(vt) 电流 - 栅极至阳极漏(igao) 电流 - 谷值(iv) 电流 - 峰值
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
CMPP6028 TR
10+: 1.6326 100+: 1.6035 1000+: 1.5889 3000+: 1.5452
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Central Semiconductor Corp TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -
描述:PROGRAMMABLE UJT SOT-23 功率耗散(最大值:167mW 电压 - 输出:6V 电压 - 偏移(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:-
2N6027RLRA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6028RLRA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6027RLRAG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6028RLRAG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6027G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) -
描述:TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:-
2N6027RL1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6028G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:-
2N6028RLRP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6027RL1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6028RLRMG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
2N6028RLRPG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) -
描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 功率耗散(最大值:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(igao):10nA 电流 - 谷值(iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:-
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