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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿（v（br）gss） 漏源极电压（vdss） 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss） 漏极电流（id） - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关） 电阻 - rds（开） 不同 vds 时的输入电容（ciss） 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
2SK3796-3-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75，SOT-416 SMCP
描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *电阻 - rds（开）:200 Ohms *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK208-GR(TE85L,F)
带卷（TR）
10+: ￥0.1645 100+: ￥0.1616 1000+: ￥0.1601 3000+: ￥0.1557
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Toshiba Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SC-59
描述:MOSFET N-CH S-MINI FET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
2SK208-R(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 S-MINI
描述:JFET N-CH 50V S-MINI *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:50V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:300µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-MINI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK208-Y(TE85L,F)
带卷（TR）
10+: ￥0.1645 100+: ￥0.1616 1000+: ￥0.1601 3000+: ￥0.1557
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Toshiba Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 S-MINI
描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-MINI 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
2SK932-22-TB-E
带卷（TR）
10+: ￥0.1772 100+: ￥0.1740 1000+: ￥0.1724 3000+: ￥0.1677
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:15V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:7.3mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
DSK5J01P0L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-85 SMINI3-F2-B
描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:55V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *电阻 - rds（开）:6pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:SMINI3-F2-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CPH3910-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3-CPH
描述:JFET N-CH 25V .04A CPH3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *电阻 - rds（开）:6pF @ 5V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK879-GR(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-70，SOT-323 USM
描述:JFET N-CH 0.1W USM *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK932-24-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:15V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:14.5mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ175LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:125 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK880-BL(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-70，SOT-323 SC-70
描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:50V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:13pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFT46,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:5pF @ 10V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DSK5J01Q0L
带卷（TR）
10+: ￥0.1772 100+: ￥0.1740 1000+: ￥0.1724 3000+: ￥0.1677
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Panasonic Electronic Components SC-85 SMINI3-F2-B
描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:55V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:SMINI3-F2-B 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
2SK3666-2-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3-CP
描述:JFET NCH 30V 200MW 3CP *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MCH3914-7-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 3-SMD，扁平引线 SC-70FL/MCPH3
描述:JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:15V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:16mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.9pF @ 5V *电阻 - rds（开）:4.9pF @ 5V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK11030QL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 迷你型3-G1
描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 10V *电阻 - rds（开）:300 Ohms *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK34260TL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-723 SSS迷你型3-F1
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:20V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK275100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 迷你型3-G1
描述:JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.4µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:5pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK01980RL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 迷你型3-G1
描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:500µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 10V *电阻 - rds（开）:14pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK33720TL
带卷（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-723 SSS迷你型3-F1
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:20V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:107¦ÌA @ 2 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
2SK33720UL
带卷（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components SOT-723 SSS迷你型3-F1
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:20V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:107¦ÌA @ 2 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
J111_D74Z
带盒（TB）
10+: ￥0.1012 100+: ￥0.0994 1000+: ￥0.0985 3000+: ￥0.0958
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Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:30 欧姆 *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带盒（TB） 数量: 每包的数量:1
J112_D27Z
带卷（TR）
10+: ￥0.1012 100+: ￥0.0994 1000+: ￥0.0985 3000+: ￥0.0958
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:50 欧姆 *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
MMBFJ177
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:300 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BSR56
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:25 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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