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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿（v（br）gss） 漏源极电压（vdss） 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss） 漏极电流（id） - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关） 电阻 - rds（开） 不同 vds 时的输入电容（ciss） 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MMBF4392LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V *电阻 - rds（开）:60 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFU310LT1G
带卷（TR）
10+: ￥0.1392 100+: ￥0.1367 1000+: ￥0.1355 3000+: ￥0.1318
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:24mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
MMBFJ176
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:250 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ271
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ175
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:125 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK208-O(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SC-59
描述:JFET N-CH 50V SC59 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:50V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:600µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK932-23-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:15V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ309,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:12mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:12mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ109,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:12 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ108,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:8 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFR30,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:4mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *电阻 - rds（开）:4pF @ 10V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFR30,235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:4mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *电阻 - rds（开）:4pF @ 10V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK880-Y(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-70，SOT-323 USM
描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:50V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:13pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK2145-BL(TE85L,F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Toshiba Semiconductor SC-74A，SOT-753 SMV
描述:JFET N-CH 50V SMV *fet 类型:2 N-通道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:13pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J113
10+: ￥4.1765 100+: ￥4.1019 1000+: ￥4.0646 3000+: ￥3.9527
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Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:100 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J111
10+: ￥4.0752 100+: ￥4.0025 1000+: ￥3.9661 3000+: ￥3.8569
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J112
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） TO-92-3
描述:JFET N-CHAN 35V TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J109
10+: ￥4.0752 100+: ￥4.0025 1000+: ￥3.9661 3000+: ￥3.8569
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） TO-92-3
描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:40mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:12 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
J105
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25V 漏极电流（id） - 最大值:500mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:3 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N5460
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Central Semiconductor Corp TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） TO-92
描述:JFET P-CH 40V 0.31W TO-92 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:7pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N4392
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Central Semiconductor Corp TO-206AA，TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:60 Ohms *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N4858A
10+: ￥40.7523 100+: ￥40.0246 1000+: ￥39.6607 3000+: ￥38.5692
我要买
Central Semiconductor Corp TO-206AA，TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:60 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N5116
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Central Semiconductor Corp TO-206AA，TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET P-CH 30V 0.5W TO18 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *电阻 - rds（开）:150 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF4391
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 30V 350MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF4091
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:30mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
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