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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MMBF4393LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):30V
漏源极电压(vdss):30V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V
电阻 - rds(开):100 Ohms
功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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PMBFJ110,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):25V
漏源极电压(vdss):25V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:10mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):30pF @ 10V(VGS)
电阻 - rds(开):18 Ohms
功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MMBFJ177LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
fet 类型:P 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):30V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS)
电阻 - rds(开):300 欧姆
功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
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2N5457
Datasheet 规格书
ROHS
|
Central Semiconductor Corp | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | TO-92 |
描述:JFET N-CH 25V 0.31W TO-92
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):25V
漏源极电压(vdss):25V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:1mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
电阻 - rds(开):7pF @ 15V
功率 - 最大值:310mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装:TO-92
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4393
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Central Semiconductor Corp | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-18 |
描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V
电阻 - rds(开):100 欧姆
功率 - 最大值:1.8W
工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-18
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
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MMBF5459
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 25V 350MW SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):25V
漏源极电压(vdss):25V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:4mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
电阻 - rds(开):7pF @ 15V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
J113_D74Z
Datasheet 规格书
ROHS
带盒(TB)
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):35V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):100 欧姆
功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
包装:带盒(TB)
数量:
每包的数量:1
|
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BSR58
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:8mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ .5nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):60 Ohms
功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
PMBFJ177,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
fet 类型:P 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):30V
漏源极电压(vdss):30V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:1.5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):8pF @ 10V(VGS)
电阻 - rds(开):300 Ohms
功率 - 最大值:300mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MMBF5103
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:10mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.2V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 15V
电阻 - rds(开):16pF @ 15V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
J112_D26Z
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):35V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):50 欧姆
功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
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MMBF5460
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
fet 类型:P 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:1mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):750mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
电阻 - rds(开):7pF @ 15V
功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MMBF5462
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
fet 类型:P 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:4mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.8V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
电阻 - rds(开):7pF @ 15V
功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MMBF4393
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 30V 350MW SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):30V
漏源极电压(vdss):30V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 20V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V
电阻 - rds(开):100 Ohms
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
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2SK3666-3-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
漏源极电压(vdss):30V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.2mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:10mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V
电阻 - rds(开):200 Ohms
功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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MMBF4117
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:30µA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
电阻 - rds(开):3pF @ 10V
功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
MMBFJ113
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):35V
漏源极电压(vdss):35V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:2mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):100 Ohms
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
PMBF4393,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 20V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V
电阻 - rds(开):100 Ohms
功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
PMBF4391,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:50mA @ 20V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V
电阻 - rds(开):30 Ohms
功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
MMBFJ111
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23
fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):35V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):30 欧姆
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
MMBFJ201
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23
fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 20
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):-
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
MMBFJ202
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23
fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):900¦ÌA @ 20
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):-
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
J176_D74Z
Datasheet 规格书
ROHS
带盒(TB)
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92
fet 类型:P 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):30V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):250 欧姆
功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
包装:带盒(TB)
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
J175_D26Z
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92
fet 类型:P 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):30V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
电阻 - rds(开):125 欧姆
功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
MMBF4391LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):30V
漏源极电压(vdss):30V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:50mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V
电阻 - rds(开):30 Ohms
功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:-
数量:
每包的数量:1
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