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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿（v（br）gss） 漏源极电压（vdss） 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss） 漏极电流（id） - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关） 电阻 - rds（开） 不同 vds 时的输入电容（ciss） 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MMBF4393LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:30V 漏源极电压（vdss）:30V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V 电阻 - rds（开）:100 Ohms 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ110,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:25V 漏源极电压（vdss）:25V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） 电阻 - rds（开）:18 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ177LT1G
带卷（TR）
10+: ￥0.2152 100+: ￥0.2113 1000+: ￥0.2094 3000+: ￥0.2036
我要买
ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 fet 类型:P 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:30V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11pF @ 10V（VGS） 电阻 - rds（开）:300 欧姆 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
2N5457
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Central Semiconductor Corp TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） TO-92
描述:JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:25V 漏源极电压（vdss）:25V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V 电阻 - rds（开）:7pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N4393
散装
10+: ￥3.4171 100+: ￥3.3561 1000+: ￥3.3256 3000+: ￥3.2341
我要买
Central Semiconductor Corp TO-206AA，TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V 电阻 - rds（开）:100 欧姆 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MMBF5459
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 25V 350MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:25V 漏源极电压（vdss）:25V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V 电阻 - rds（开）:7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
J113_D74Z
带盒（TB）
10+: ￥0.1012 100+: ￥0.0994 1000+: ￥0.0985 3000+: ￥0.0958
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:35V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:100 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带盒（TB） 数量: 每包的数量:1
BSR58
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:40V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:60 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ177,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 fet 类型:P 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:30V 漏源极电压（vdss）:30V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） 电阻 - rds（开）:300 Ohms 功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF5103
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:40V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V 电阻 - rds（开）:16pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
J112_D26Z
带卷（TR）
10+: ￥0.1012 100+: ￥0.0994 1000+: ￥0.0985 3000+: ￥0.0958
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:35V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:50 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
MMBF5460
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 fet 类型:P 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:40V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V 电阻 - rds（开）:7pF @ 15V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF5462
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 fet 类型:P 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:40V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V 电阻 - rds（开）:7pF @ 15V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF4393
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 30V 350MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:30V 漏源极电压（vdss）:30V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:30V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V 电阻 - rds（开）:100 Ohms 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK3666-3-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 漏源极电压（vdss）:30V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V 电阻 - rds（开）:200 Ohms 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF4117
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:40V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:30µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V 电阻 - rds（开）:3pF @ 10V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ113
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:35V 漏源极电压（vdss）:35V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:100 Ohms 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBF4393,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:40V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V 电阻 - rds（开）:100 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBF4391,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:40V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V 电阻 - rds（开）:30 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ111
带卷（TR）
10+: ￥0.1266 100+: ￥0.1243 1000+: ￥0.1232 3000+: ￥0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:35V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:30 欧姆 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
MMBFJ201
带卷（TR）
10+: ￥0.1266 100+: ￥0.1243 1000+: ￥0.1232 3000+: ￥0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
MMBFJ202
带卷（TR）
10+: ￥0.1266 100+: ￥0.1243 1000+: ￥0.1232 3000+: ￥0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:40V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:900¦ÌA @ 20 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:- 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
J176_D74Z
带盒（TB）
10+: ￥0.1266 100+: ￥0.1243 1000+: ￥0.1232 3000+: ￥0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 fet 类型:P 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:30V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:250 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带盒（TB） 数量: 每包的数量:1
J175_D26Z
带卷（TR）
10+: ￥0.1392 100+: ￥0.1367 1000+: ￥0.1355 3000+: ￥0.1318
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） TO-92-3
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 fet 类型:P 沟道 电压 - 击穿（v（br）gss）:30V 漏源极电压（vdss）:- 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 电阻 - rds（开）:125 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
MMBF4391LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿（v（br）gss）:30V 漏源极电压（vdss）:30V 不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 15V 电阻 - rds（开）:30 Ohms 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:- 数量: 每包的数量:1
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