聚龙芯城

www.makuwang.com

当前位置 :首页 >晶体管 > 晶体管 - JFET
制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
共 649 款产品满足条件
  共有649个记录    每页显示25条,本页1-25条    1/26页   1  2  3  4  5   下一页  
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MMBF4393LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):30V 漏源极电压(vdss):30V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V 电阻 - rds(开):100 Ohms 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ110,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):25V 漏源极电压(vdss):25V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):30pF @ 10V(VGS) 电阻 - rds(开):18 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ177LT1G
带卷(TR)
10+: 0.2152 100+: 0.2113 1000+: 0.2094 3000+: 0.2036
我要买
ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 fet 类型:P 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):30V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS) 电阻 - rds(开):300 欧姆 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
2N5457
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Central Semiconductor Corp TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) TO-92
描述:JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):25V 漏源极电压(vdss):25V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V 电阻 - rds(开):7pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N4393
散装
10+: 3.4171 100+: 3.3561 1000+: 3.3256 3000+: 3.2341
我要买
Central Semiconductor Corp TO-206AA,TO-18-3 金属罐 TO-18
描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V 电阻 - rds(开):100 欧姆 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 包装:散装 数量: 每包的数量:1
MMBF5459
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 25V 350MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):25V 漏源极电压(vdss):25V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V 电阻 - rds(开):7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
J113_D74Z
带盒(TB)
10+: 0.1012 100+: 0.0994 1000+: 0.0985 3000+: 0.0958
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):35V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):100 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带盒(TB) 数量: 每包的数量:1
BSR58
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):40V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ .5nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):60 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ177,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 fet 类型:P 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):30V 漏源极电压(vdss):30V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):8pF @ 10V(VGS) 电阻 - rds(开):300 Ohms 功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF5103
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):40V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 15V 电阻 - rds(开):16pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
J112_D26Z
带卷(TR)
10+: 0.1012 100+: 0.0994 1000+: 0.0985 3000+: 0.0958
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):35V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):50 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
MMBF5460
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 fet 类型:P 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):40V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):750mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V 电阻 - rds(开):7pF @ 15V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF5462
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 fet 类型:P 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):40V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:4mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.8V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V 电阻 - rds(开):7pF @ 15V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF4393
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 30V 350MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):30V 漏源极电压(vdss):30V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30V 漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V 电阻 - rds(开):100 Ohms 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK3666-3-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 漏源极电压(vdss):30V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V 电阻 - rds(开):200 Ohms 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBF4117
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):40V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V 电阻 - rds(开):3pF @ 10V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ113
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):35V 漏源极电压(vdss):35V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):100 Ohms 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBF4393,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):40V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V 电阻 - rds(开):100 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBF4391,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):40V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 20V 漏极电流(id) - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V 电阻 - rds(开):30 Ohms 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ111
带卷(TR)
10+: 0.1266 100+: 0.1243 1000+: 0.1232 3000+: 0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):35V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):30 欧姆 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
MMBFJ201
带卷(TR)
10+: 0.1266 100+: 0.1243 1000+: 0.1232 3000+: 0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 20 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):- 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
MMBFJ202
带卷(TR)
10+: 0.1266 100+: 0.1243 1000+: 0.1232 3000+: 0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 fet 类型:N 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):40V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):900¦ÌA @ 20 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):- 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
J176_D74Z
带盒(TB)
10+: 0.1266 100+: 0.1243 1000+: 0.1232 3000+: 0.1198
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 fet 类型:P 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):30V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):250 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带盒(TB) 数量: 每包的数量:1
J175_D26Z
带卷(TR)
10+: 0.1392 100+: 0.1367 1000+: 0.1355 3000+: 0.1318
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET P-CH 30V 0.35W TO92 fet 类型:P 沟道 电压 - 击穿(v(br)gss):30V 漏源极电压(vdss):- 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 电阻 - rds(开):125 欧姆 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
MMBF4391LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 fet 类型:N 通道 电压 - 击穿(v(br)gss):30V 漏源极电压(vdss):30V 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:50mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V 电阻 - rds(开):30 Ohms 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:- 数量: 每包的数量:1
  共有649个记录    每页显示25条,本页1-25条    1/26页   1  2  3  4  5   下一页