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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 配置 电流 - 集电极(ic)(最大值) 输入 ntc 热敏电阻 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
IXXN110N65B4H1
10+: 213.4434 100+: 209.6320 1000+: 207.7262 3000+: 202.0090
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(ic)(最大值):215A 功率 - 最大值:750W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,110A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.65nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 包装:- 数量: 每包的数量:1
IXDN75N120
10+: 247.2603 100+: 242.8449 1000+: 240.6372 3000+: 234.0142
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:660W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT75GP120JDQ3
10+: 353.9757 100+: 347.6547 1000+: 344.4942 3000+: 335.0127
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1.25mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT100GT120JRDQ4
10+: 416.5722 100+: 409.1335 1000+: 405.4141 3000+: 394.2559
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):123A 功率 - 最大值:570W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.85nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT600A60G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:2300W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):750µA 不同?vce 时的输入电容(cies):49nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT600U170D4G
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Microsemi Corporation D4 D4
描述:IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(ic)(最大值):1100A 功率 - 最大值:2900W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.4V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):51nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGL475A120D3G
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Microsemi Corporation D-3 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2080W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 包装:- 数量: 每包的数量:1
STGE200NB60S
10+: 262.7132 100+: 258.0219 1000+: 255.6763 3000+: 248.6393
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STMicroelectronics ISOTOP ISOTOP
描述:IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.6V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):500µA 不同?vce 时的输入电容(cies):1.56nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP 包装:- 数量: 每包的数量:1
IXYN82N120C3H1
10+: 356.4056 100+: 350.0412 1000+: 346.8590 3000+: 337.3125
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IXYS SOT-227-4,MINIBLOC SOT-227B
描述:IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):105A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.2V @ 15V,82A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?vce 时的输入电容(cies):4060pF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,MINIBLOC 供应商器件封装:SOT-227B 包装:- 数量: 每包的数量:1
MG06150S-BN4MM
10+: 723.8473 100+: 710.9214 1000+: 704.4585 3000+: 685.0697
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Littelfuse Inc. S-3 模块 S3
描述:IGBT MODULE 600V 150A 500W S3 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGF75H120TG
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microsemi Corporation SP4 SP4
描述:IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4 igbt 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:500W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):5.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 包装:- 数量: 每包的数量:0
APTGL475U120DAG
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2307W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 包装:- 数量: 每包的数量:1
MG12450WB-BN2MM
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Littelfuse Inc. 模块 WB
描述:IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1950W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,450A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):32nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:WB 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT200GN60J
10+: 250.7660 100+: 246.2880 1000+: 244.0490 3000+: 237.3321
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.85V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):25µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.1nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT75GP120J
10+: 329.2965 100+: 323.4162 1000+: 320.4760 3000+: 311.6556
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP igbt 类型:PT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.04nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT100GT120JU2
10+: 281.0898 100+: 276.0703 1000+: 273.5606 3000+: 266.0314
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Microsemi Corporation ISOTOP SOT-227
描述:IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.2nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT50X60T3G
10+: 692.9919 100+: 680.6171 1000+: 674.4297 3000+: 655.8674
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Microsemi Corporation SP3 SP3
描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGFQ25H120T2G
-
10+: 94.0847 100+: 92.4046 1000+: 91.5646 3000+: 89.0445
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Microsemi Corporation SP2 SP2
描述:IGBT 1200V 40A 227W MODULE igbt 类型:NPT 型和场截止型 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:227W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,25A 电流 - 集电极截止(最大值):250µA 不同?vce 时的输入电容(cies):2.02nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 包装:- 数量: 每包的数量:1
VS-GA250SA60S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay Semiconductor Diodes Division SOT-227-4 SOT-227
描述:IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227 igbt 类型:- 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):400A 功率 - 最大值:961W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.66V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):16.25nF @ 30V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 包装:- 数量: 每包的数量:1
APT60GF120JRDQ3
10+: 761.7140 100+: 748.1120 1000+: 741.3110 3000+: 720.9079
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Microsemi Corporation ISOTOP ISOTOP®
描述:IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP igbt 类型:NPT 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):149A 功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):7.08nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP® 包装:- 数量: 每包的数量:1
MG12150S-BN2MM
10+: 852.3943 100+: 837.1729 1000+: 829.5623 3000+: 806.7303
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Littelfuse Inc. S-3 模块 S3
描述:IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:625W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.7V @ 15V,150A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):10.5nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MG06200S-BN4MM
10+: 887.3881 100+: 871.5419 1000+: 863.6188 3000+: 839.8494
我要买
Littelfuse Inc. S-3 模块 S3
描述:IGBT MODULE 600V 200A 600W S3 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(ic)(最大值):300A 功率 - 最大值:600W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.45V @ 15V,200A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):13nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:S-3 模块 供应商器件封装:S3 包装:- 数量: 每包的数量:1
MG12200D-BA1MM
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Littelfuse Inc. 模块 D3
描述:IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3 igbt 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):300A 功率 - 最大值:1400W 不同?vge,ic 时的?vce(on):1.8V @ 15V,200A(标准) 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?vce 时的输入电容(cies):14.9nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:D3 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGT200DU120G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation SP6 SP6
描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:双,共源 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):280A 功率 - 最大值:890W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):350µA 不同?vce 时的输入电容(cies):14nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 包装:- 数量: 每包的数量:1
APTGL475U120D4G
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Microsemi Corporation D4 D4
描述:IGBT MODULE 1200V 610A 2082W D4 igbt 类型:沟槽型场截止 配置:单路 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(ic)(最大值):610A 功率 - 最大值:2082W 不同?vge,ic 时的?vce(on):2.2V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?vce 时的输入电容(cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 ntc 热敏电阻: 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 包装:- 数量: 每包的数量:1
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