辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

当前位置 ：首页 >晶体管 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 fet 功能 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 不同id，vgs 时的rds on（最大值） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg） 不同 vds 时的输入电容（ciss） 功率 - 最大值 工作温度 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清空条件
共 5427 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
STS4DNF60L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SO
描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:4A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1030pF @ 25V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL8DN10LF3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics 8-POWERVDFN POWERFLAT™（5X6）
描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:20A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:970pF @ 25V *功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-POWERVDFN 供应商器件封装:POWERFLAT™（5X6） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL15DN4F5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics 8-POWERVDFN POWERFLAT™（5X6）
描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:60A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 25V *功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-POWERVDFN 供应商器件封装:POWERFLAT™（5X6） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FG6943010R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components SOT-563，SOT-666 SSMINI6-F3-B
描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:100mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SSMINI6-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD5121NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:295mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002DW-7-F
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:230mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量:3000 每包的数量:1
DMC2400UV-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:1.03A，700mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:37.1pF @ 10V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC3400SDW-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 30V SOT363 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:650mA，450mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 15V *功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD3154NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:540mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG1016UDW-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:1.07A，845mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 10V *功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD4001NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:250mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG6601LVT-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 TSOT-26
描述:MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:3.8A，2.5A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:55 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:422pF @ 15V *功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDG6303N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-70-6
描述:MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:500mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002DW
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-70-6
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:115mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG6602SVT-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 TSOT-23-6
描述:MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:3.4A，2.8A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V *功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-23-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC2038LVT-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 TSOT-26
描述:MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:3.7A，2.6A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V *功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD5110NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:294mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24.5pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG1016V-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:870mA，640mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V *功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BSS84DW-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:130mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 25V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMN2400UV-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:1.33A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 16V *功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMN5L06VK-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:280mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD3152PT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:430mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD4401NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:630mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD3155CT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:540mA，430mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002V
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor SOT-563，SOT-666 SOT-563F
描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:280mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563F 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
  共有5427个记录    每页显示25条，本页1-25条    1/218页   1  2  3  4  5   下一页    尾 页      
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2024 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922