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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 fet 功能 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 不同id，vgs 时的rds on（最大值） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg） 不同 vds 时的输入电容（ciss） 功率 - 最大值 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
DMG1029SV-7
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Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET N/P-CH 60V SOT563 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:500mA，360mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDY3000NZ
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Fairchild Semiconductor SOT-563，SOT-666 SC-89-6
描述:MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:600mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD4152PT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:880mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:155pF @ 20V *功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD4158CT1G
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V，20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:250mA，880mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33pF @ 5V *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SI1539CDL-T1-GE3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 30V SOT363 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:700mA，500mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V *功率 - 最大值:340mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMP2004VK-7
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Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:530mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:900 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:175pF @ 16V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMGD290XN,115
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:860mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:34pF @ 20V *功率 - 最大值:410mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMGD280UN,115
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Nexperia USA Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 6-TSSOP
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:870mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 20V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BSS138DW-7-F
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:200mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SSM6N58NU,LF
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Toshiba Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 6-UDFN（2X2）
描述:MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:4A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V *功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-UDFN（2X2） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDG6320C
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-70-6
描述:MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:220mA，140mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NDC7002N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 SUPERSOT™-6
描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:510mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:2 欧姆 @ 510mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:SUPERSOT™-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMN5L06DWK-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:305mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC2004DWK-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:540mA，430mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
AO4629
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Alpha Omega Semi 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC *fet 类型:N 和 P 沟道，共漏 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:6A，5.5A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V *功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMN2005DLP4K-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-SMD，无引线 X2-DFN1310-6
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:300mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，无引线 供应商器件封装:X2-DFN1310-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SI1026X-T1-GE3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-563，SOT-666 SC-89-6
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:305mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMN32D2LV-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-563，SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:400mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 100mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39pF @ 3V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SI1024X-T1-GE3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay SOT-563，SOT-666 SC-89-6
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:485mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SI1922EDH-T1-GE3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-70-6（SOT-363）
描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:1.3A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:198 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6（SOT-363） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SI1902DL-T1-E3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-70-6（SOT-363）
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:660mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:385 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6（SOT-363） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SI1926DL-T1-E3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-70-6（SOT-363）
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6 *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:370mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 30V *功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6（SOT-363） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDC6312P
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 SUPERSOT™-6
描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.3A 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:467pF @ 10V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:SUPERSOT™-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDG6322C
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-70-6
描述:MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:220mA，410mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDY4000CZ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor SOT-563，SOT-666 SC-89-6
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563F *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:600mA，350mA 不同?id，vgs 时的?rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 10V *功率 - 最大值:446mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SC-89-6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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