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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 fet 功能 漏源极电压(vdss) 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) 不同id,vgs 时的rds on(最大值) 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 功率 - 最大值 工作温度 安装类型 包装
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共 4276 款产品满足条件
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt STS4DNF60L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 8-SO
描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):4A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90MM 宽) 供应商器件封装:8-SO 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL8DN10LF3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-POWERVDFN POWERFLAT™(5X6)
描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):20A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-POWERVDFN 供应商器件封装:POWERFLAT™(5X6) 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL15DN4F5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-POWERVDFN POWERFLAT™(5X6)
描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-POWERVDFN 供应商器件封装:POWERFLAT™(5X6) 包装:- 数量: 每包的数量:1
FG6943010R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-563,SOT-666 SSMINI6-F3-B
描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):100mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SSMINI6-F3-B 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD5121NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):295mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002DW-7-F
3000
10+: 0.3675 100+: 0.1890 1000+: 0.1470 3000+: 0.1155
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Diodes Incorporated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):230mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 包装:- 数量:3000 每包的数量:1
DMC2400UV-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.03A,700mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):37.1pF @ 10V 功率 - 最大值:450mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC3400SDW-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 30V SOT363 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA,450mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):55pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD3154NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG1016UDW-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.07A,845mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD4001NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):250mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.5 欧姆 @ 10mA,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):33pF @ 5V 功率 - 最大值:272mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG6601LVT-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOT-26
描述:MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.8A,2.5A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):422pF @ 15V 功率 - 最大值:850mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDG6303N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70-6
描述:MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):25V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):500mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002DW
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70-6
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):115mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG6602SVT-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOT-23-6
描述:MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 fet 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.4A,2.8A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):400pF @ 15V 功率 - 最大值:840mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-23-6 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMC2038LVT-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOT-26
描述:MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.7A,2.6A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):35 毫欧 @ 4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):530pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD5110NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):294mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMG1016V-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):870mA,640mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
BSS84DW-7-F
10+: 0.7718 100+: 0.3969 1000+: 0.3087 3000+: 0.2426
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Diodes Incorporated 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):50V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):130mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMN2400UV-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):1.33A 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):36pF @ 16V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
DMN5L06VK-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Diodes Incorporated SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):50V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):280mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):2 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD3152PT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 fet 功能:标准 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):430mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):900 毫欧 @ 430mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):175pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTJD4401NT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):630mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):375 毫欧 @ 630mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):46pF @ 20V 功率 - 最大值:270mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 包装:- 数量: 每包的数量:1
NTZD3155CT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563
描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):20V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):540mA,430mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002V
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor SOT-563,SOT-666 SOT-563F
描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F fet 功能:逻辑电平门 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):280mA 不同?id,vgs 时的?rds on(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-563F 包装:- 数量: 每包的数量:1
  共有4276个记录    每页显示25条,本页1-25条    1/172页   1  2  3  4  5   下一页  

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