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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 频率 增益 电压 - 测试 电压 - 额定 额定电流 噪声系数 功率 - 输出 包装
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共 3308 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
2SK209-BL(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59
描述:JFET N-CH SOT23 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:10V *额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BF862,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BF862,235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 20V 25MA SOT23 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
ATF-55143-TR1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:2.7V *额定电流:100mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14.4dBm *电压 - 额定:5V 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
ATF-35143-TR1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:18dB *电压 - 测试:2V *额定电流:80mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:10dBm *电压 - 额定:5.5V 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
ATF-58143-TR1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:3V *额定电流:100mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:30mA *功率 - 输出:19dBm *电压 - 额定:5V 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
PD84001
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-243AA SOT-89
描述:FET RF 18V 870MHZ 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:15dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:1.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:30dBm *电压 - 额定:18V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD85004
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-243AA SOT-89
描述:FET RF 40V 870MHZ 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:2A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
ATF-54143-TR1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited SC-82A,SOT-343 SOT-343
描述:FET RF 5V 2GHZ SOT-343 晶体管类型:pHEMT FET *频率:2GHz *增益:16.6dB *电压 - 测试:3V *额定电流:120mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:60mA *功率 - 输出:20.4dBm *电压 - 额定:5V 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
ATF-531P8-TR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited 8-WFDFN 裸露焊盘 8-LPCC(2X2)
描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:20dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:24.5dBm *电压 - 额定:7V 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-LPCC(2X2) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
MW6S004NT1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP PLD-1.5 PLD-1.5
描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 晶体管类型:LDMOS *频率:1.96GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:4W *电压 - 额定:68V 封装/外壳:PLD-1.5 供应商器件封装:PLD-1.5 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLP7G22-10Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. 12-VDFN 裸露焊盘 12-HVSON(5X6)
描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.14GHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:12-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:12-HVSON(5X6) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MW6S010GNR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP TO-270-2 鸥翼型 TO-270-2 鸥翼型
描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:68V 封装/外壳:TO-270-2 鸥翼型 供应商器件封装:TO-270-2 鸥翼型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MW6S010NR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP TO-270AA TO-270-2
描述:FET RF 68V 960MHZ TO270-2 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:125mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:68V 封装/外壳:TO-270AA 供应商器件封装:TO-270-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD55003-E
10+: 110.0186 100+: 108.0540 1000+: 107.0717 3000+: 104.1248
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STMicroelectronics POWERSO-10 裸露底部焊盘 10-POWERSO
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:17dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:3W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:10-POWERSO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD57006-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) POWERSO-10RF(成形引线)
描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *功率 - 输出:6W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) 供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRFE6S9045NR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP TO-270AA TO-270-2
描述:FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 晶体管类型:LDMOS *频率:880MHz *增益:22.1dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:66V 封装/外壳:TO-270AA 供应商器件封装:TO-270-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD20015-E
10+: 195.0669 100+: 191.5836 1000+: 189.8419 3000+: 184.6169
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STMicroelectronics POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) POWERSO-10RF(成形引线)
描述:TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF 晶体管类型:LDMOS *频率:2GHz *增益:11dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) 供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CGH40006S
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cree/Wolfspeed 6-VDFN 裸露焊盘 6-QFN-EP(3X3)
描述:RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 晶体管类型:HEMT *频率:0Hz ~ 6GHz *增益:12dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:8W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-QFN-EP(3X3) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRFE6S9060NR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP TO-270AA TO-270-2
描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2 晶体管类型:LDMOS *频率:880MHz *增益:21.1dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA *功率 - 输出:14W *电压 - 额定:66V 封装/外壳:TO-270AA 供应商器件封装:TO-270-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF136
10+: 359.8101 100+: 353.3849 1000+: 350.1723 3000+: 340.5345
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M/A-Com Technology Solutions 211-07 211-07,2 型
描述:FET RF 65V 400MHZ 211-07 晶体管类型:N 通道 *频率:400MHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:2.5A 噪声系数:1dB 电流 - 测试:25mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07,2 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF6G21-10G,135
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-538A 2-CDIP
描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 晶体管类型:LDMOS *频率:2.11GHz ~ 2.17GHz *增益:18.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:700mW *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-538A 供应商器件封装:2-CDIP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF6G21-10G,112
10+: 370.3146 100+: 363.7018 1000+: 360.3954 3000+: 350.4763
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Ampleon USA Inc. SOT-538A 2-CDIP
描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 晶体管类型:LDMOS *频率:2.11GHz ~ 2.17GHz *增益:18.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:700mW *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-538A 供应商器件封装:2-CDIP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF640U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-538A 2-CDIP
描述:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 晶体管类型:LDMOS *频率:2.11GHz ~ 2.17GHz *增益:18.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:700mW *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-538A 供应商器件封装:2-CDIP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF6G27-10G,118
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-975C CDFM2
描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 晶体管类型:LDMOS *频率:2.5GHz ~ 2.7GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:3.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-975C 供应商器件封装:CDFM2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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