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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 fet 功能 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 不同id，vgs 时的rds on（最大值） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg） 不同 vds 时的输入电容（ciss） 功率 - 最大值 工作温度 安装类型 包装
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共 42623 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
STN2NF10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:260 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.3W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STN1HNK60
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-261-4，TO-261AA SOT-223
描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:400mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:156pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.3W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD12NF06LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:100 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V *Vgs（最大值）:±16V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:42.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD16NF06LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:70 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STS5PF30L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SO
描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V *Vgs（最大值）:±16V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB16NF06LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:90 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±16V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:45W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD44N4LF6
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 40V 44A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:44A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD15NF10T4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:23A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:65 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:70W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD70N10F4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 100V 60A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD30PF03LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET P-CH 30V 24A DPAK *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 5V *Vgs（最大值）:±16V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1670pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:70W（Tc） 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD20NF20
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:18A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
IRF630
10+: ￥10.1121 100+: ￥9.9316 1000+: ￥9.8413 3000+: ￥9.5704
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220AB
描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:9A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:75W（Tc） 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL3NM60N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-PowerVDFN PowerFlat™（3.3x3.3）
描述:MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:650mA（Ta），2.2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:188pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta），22W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat™（3.3x3.3） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD150N3LLH6
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:80A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3700pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD8N65M5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 650V 7A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:690pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:70W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD10NM60N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:70W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD18N55M5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 550V 13A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:550V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:110W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD3NK100Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:1000V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:601pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:90W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL140N4LLF5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-PowerVDFN PowerFlat™（5x6）
描述:MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:140A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2.75 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±22V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5900pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:80W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat™（5x6） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB18NM80
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2070pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:190W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB120NF10T4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:110A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:233nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:312W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB80NF55-06T4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:55V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:80A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:189nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4400pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:300W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL18N65M5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-PowerVDFN PowerFlat™（5x6）
描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:57W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat™（5x6） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB12NK80ZT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:10.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:87nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2620pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:190W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STP5NK100Z
10+: ￥27.9951 100+: ￥27.4952 1000+: ￥27.2452 3000+: ￥26.4953
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220AB
描述:MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:1000V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:3.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:59nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1154pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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