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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 fet 功能 漏源极电压（vdss） 电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 不同id，vgs 时的rds on（最大值） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg） 不同 vds 时的输入电容（ciss） 功率 - 最大值 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
STW13NK100Z
10+: ￥85.0483 100+: ￥83.5296 1000+: ￥82.7702 3000+: ￥80.4922
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STMicroelectronics TO-247-3 TO-247-3
描述:MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:1000V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:13A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:700 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:266nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STW26NM50
10+: ￥97.1981 100+: ￥95.4624 1000+: ￥94.5946 3000+: ￥91.9910
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STMicroelectronics TO-247-3 TO-247-3
描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:120 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:106nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:313W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STP42N65M5
10+: ￥69.3928 100+: ￥68.1537 1000+: ￥67.5341 3000+: ￥65.6754
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STMicroelectronics TO-220-3 TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:100nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4650pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:190W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STW9N150
10+: ￥102.5389 100+: ￥100.7079 1000+: ￥99.7923 3000+: ￥97.0458
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STMicroelectronics TO-247-3 TO-247-3
描述:MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:1500V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:8A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:89.3nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3255pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:320W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL57N65M5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-PowerVDFN PowerFlat™（8x8）HV
描述:MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:4.3A（Ta），22.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:69 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:110nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4200pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.8W（Ta），189W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat™（8x8）HV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STW40N95K5
10+: ￥122.4595 100+: ￥120.2727 1000+: ￥119.1793 3000+: ￥115.8991
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STMicroelectronics TO-247-3 TO-247
描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:950V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:38A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:93nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3300pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:450W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STW12N120K5
10+: ￥74.0629 100+: ￥72.7404 1000+: ￥72.0791 3000+: ￥70.0953
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STMicroelectronics TO-247-3 TO-247
描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:1200V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:12A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.2nC @ 10V *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:250W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STW60NM50N
10+: ￥166.4011 100+: ￥163.4296 1000+: ￥161.9439 3000+: ￥157.4867
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STMicroelectronics TO-247-3 TO-247
描述:MOSFET N CH 500V 68A TO-247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:68A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:43 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5790pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:446W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STW88N65M5
10+: ￥119.6498 100+: ￥117.5132 1000+: ￥116.4449 3000+: ￥113.2400
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STMicroelectronics TO-247-3 TO-247-3
描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO-247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:84A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:204nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8825pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:450W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STY105NM50N
10+: ￥197.0160 100+: ￥193.4978 1000+: ￥191.7387 3000+: ￥186.4615
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STMicroelectronics TO-247-3 MAX247™
描述:MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:110A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:22 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:326nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9600pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:625W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STY139N65M5
10+: ￥237.0595 100+: ￥232.8263 1000+: ￥230.7097 3000+: ￥224.3599
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STMicroelectronics TO-247-3 MAX247™
描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:130A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:363nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15600pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:625W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
STY145N65M5
10+: ￥364.8725 100+: ￥358.3569 1000+: ￥355.0991 3000+: ￥345.3257
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STMicroelectronics TO-247-3 MAX247™
描述:MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:138A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:414nC @ 10V *Vgs（最大值）:±25V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18500pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:625W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:MAX247™ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002LT1G
盘
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:115mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5V @ 250µA *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:225mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:盘 数量:3000 每包的数量:1
2N7002P,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TO-236AB
描述:MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:360mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:.8nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:115mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5V @ 250µA *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:370mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002K-T1-E3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:.6nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002WT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70，SOT-323 SC-70-3（SOT323）
描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:310mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:.7nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24.5pF @ 20V *fet 功能:- *功率 - 最大值:280mW（Tj） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002K-7
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:380mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:.3nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:370mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002,215
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TO-236AB
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5V @ 250µA *Vgs（最大值）:±30V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:830mW（Ta） 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标签: 包装:- 数量:3000 每包的数量:1
BSS138
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:50V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:220mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:360mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
FDV301N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23
描述:MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:25V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:220mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.06V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:.7nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BSS123
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:170mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:73pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:360mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:200mA（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2N7002K
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Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5V @ 250µA *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CSD13381F4
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Texas Instruments 3-XFDFN 3-PICOSTAR
描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:12V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.1A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 6V *fet 功能:- *功率 - 最大值:500mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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