聚龙芯城

www.makuwang.com

制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 fet 功能 漏源极电压(vdss) 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时) 不同id,vgs 时的rds on(最大值) 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 功率 - 最大值 工作温度 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
共 37864 款产品满足条件
  共有37864个记录    每页显示25条,本页1-25条    1/1515页   1  2  3  4  5   下一页  
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
STN2NF10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA SOT-223
描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):2.4A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):260 毫欧 @ 1.2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 包装:- 数量: 每包的数量:1
STN1HNK60
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA SOT-223
描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):600V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):400mA(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):8.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 vds 时的输入电容(ciss):156pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:3.3W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD12NF06LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):12A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):100 毫欧 @ 6A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同 vds 时的输入电容(ciss):350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:42.8W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD16NF06LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):24A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):70 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 5V Vgs(最大值):±18V 不同 vds 时的输入电容(ciss):370pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:40W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt STS5PF30L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO
描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):55 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):16nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:2.5W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB16NF06LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):60V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):16A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):90 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA(最小) 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±16V 不同 vds 时的输入电容(ciss):345pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD44N4LF6
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 40V 44A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):44A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):12.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1190pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD15NF10T4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 100V 23A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):23A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):65 毫欧 @ 12A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):40nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):870pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:70W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD70N10F4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 100V 60A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):60A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):19.5 毫欧 @ 30A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):85nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):5800pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD30PF03LT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET P-CH 30V 24A DPAK fet 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):24A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):28 毫欧 @ 12A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):28nC @ 5V Vgs(最大值):±16V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1670pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:70W(Tc) 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD20NF20
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):200V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):18A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):125 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):39nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):940pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
IRF630
10+: 10.1121 100+: 9.9316 1000+: 9.8413 3000+: 9.5704
我要买
STMicroelectronics TO-220-3 TO-220AB
描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):200V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):400 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:75W(Tc) 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL3NM60N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics 8-PowerVDFN PowerFlat™(3.3x3.3)
描述:MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):600V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):650mA(Ta),2.2A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 1A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 vds 时的输入电容(ciss):188pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:2W(Ta),22W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat™(3.3x3.3) 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD150N3LLH6
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):30V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):80A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):2.8 毫欧 @ 40A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):29nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):3700pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W(Tc) 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD8N65M5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 650V 7A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):650V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 vds 时的输入电容(ciss):690pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:70W(Tc) 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD10NM60N
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):600V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):10A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):550 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 vds 时的输入电容(ciss):540pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:70W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD18N55M5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 550V 13A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):550V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):16A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):192 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1260pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:110W(Tc) 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STD3NK100Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):1000V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):2.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):6 欧姆 @ 1.25A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 vds 时的输入电容(ciss):601pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:90W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL140N4LLF5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics 8-PowerVDFN PowerFlat™(5x6)
描述:MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6 fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):40V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):140A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):2.75 毫欧 @ 16A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):45nC @ 4.5V Vgs(最大值):±22V 不同 vds 时的输入电容(ciss):5900pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:80W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat™(5x6) 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB18NM80
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):800V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):17A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):295 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):70nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 vds 时的输入电容(ciss):2070pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:190W(Tc) 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB120NF10T4
10+: 9.8280 100+: 9.4500 1000+: 8.6940 3000+: 7.7868
我要买
STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):100V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):110A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):10.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):233nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):5200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:312W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB80NF55-06T4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):55V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):80A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):6.5 毫欧 @ 40A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):189nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 vds 时的输入电容(ciss):4400pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:300W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STL18N65M5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics 8-PowerVDFN PowerFlat™(5x6)
描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6 fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):650V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):15A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):240 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1240pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:57W(Tc) 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat™(5x6) 包装:- 数量: 每包的数量:1
STB12NK80ZT4
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):800V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):10.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):750 毫欧 @ 5.25A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):87nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 vds 时的输入电容(ciss):2620pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:190W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 包装:- 数量: 每包的数量:1
STP5NK100Z
10+: 27.9951 100+: 27.4952 1000+: 27.2452 3000+: 26.4953
我要买
STMicroelectronics TO-220-3 TO-220AB
描述:MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220 fet 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压(vdss):1000V 电流 - 连续漏极(id)(25°c 时):3.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的?rds on(最大值):3.7 欧姆 @ 1.75A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):59nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1154pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 包装:- 数量: 每包的数量:1
  共有37864个记录    每页显示25条,本页1-25条    1/1515页   1  2  3  4  5   下一页