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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 二极管类型 不同vr，f 时的电容 电流 - 最大值 电压 - 峰值反向（最大值） 不同if，f 时的电阻 功率耗散（最大值） 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MA4P4301F-1091T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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M/A-Com Technology Solutions 2-SMD -
描述:RF DIODE PIN 100V 5W *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:100V *电流 - 最大值:100V *不同?vr，f 时的电容:- *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 封装/外壳:2-SMD 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MA4P7441F-1091T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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M/A-Com Technology Solutions 2-SMD -
描述:RF DIODE PIN 100V 30W *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:100V *电流 - 最大值:500mA *不同?vr，f 时的电容:2.2pF @ 100V，100MHz *不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:30W 工作温度:175°C（TJ） 封装/外壳:2-SMD 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MA4P4002B-402
10+: ￥286.8229 100+: ￥281.7011 1000+: ￥279.1402 3000+: ￥271.4574
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M/A-Com Technology Solutions 轴向 轴向
描述:RF DIODE PIN 200V 2.5W AXIAL *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:200V *电流 - 最大值:200V *不同?vr，f 时的电容:- *不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
HPND-4005
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited 2-SMD，梁式引线 -
描述:RF DIODE PIN 120V 250MW *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:120V *电流 - 最大值:120V *不同?vr，f 时的电容:0.02pF @ 10V，10GHz *不同?if，f 时的电阻:6.5 欧姆 @ 20mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 封装/外壳:2-SMD，梁式引线 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
BAR6303WE6327HTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-76，SOD-323 PG-SOD323-2
描述:RF DIODE PIN 50V 250MW SOD323-2 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:PG-SOD323-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD770T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70，SOT-323 SC-70-3（SOT323）
描述:DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:70V *电流 - 最大值:200mA *不同?vr，f 时的电容:1pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:120mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD330T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70，SOT-323 SC-70-3（SOT323）
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 120MW SC70-3 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:30V *电流 - 最大值:200mA *不同?vr，f 时的电容:1.5pF @ 15V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:120mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD352WT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70，SOT-323 SC-70-3（SOT323）
描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70 *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:7V *电流 - 最大值:7V *不同?vr，f 时的电容:1pF @ 0V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DA2S00100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-79，SOD-523 SSMINI2-F5-B
描述:DIODE STANDARD 40V SSMINI2-F5-B *二极管类型:标准 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:40V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:850 毫欧 @ 2mA，100MHz *功率耗散（最大值）:850 毫欧 @ 2mA，100MHz 工作温度:150°C（TJ） 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SSMINI2-F5-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAR 64-04 E6327
带卷（TR）
10+: ￥0.0633 100+: ￥0.0622 1000+: ￥0.0616 3000+: ￥0.0599
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Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 PG-SOT23-3
描述:DIODE RF SER 150V 100MA SOT-23 *二极管类型:PIN - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:- 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
BAP64-05W,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-70，SOT-323 SOT-323
描述:RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323 *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向（最大值）:100V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:240mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
1SS356TW11
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-90，SOD-323F UMD2
描述:RF DIODE STANDARD 35V 200MW UMD2 *二极管类型:标准 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:35V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *功率耗散（最大值）:200mW 工作温度:125°C（TJ） 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:UMD2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JDH2S01FSTPL3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 2-SMD，扁平引线 FSC
描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:4V *电流 - 最大值:25mA *不同?vr，f 时的电容:0.6pF @ 0.2V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:- 工作温度:125°C（TJ） 封装/外壳:2-SMD，扁平引线 供应商器件封装:FSC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
1SS390TE61
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-79，SOD-523 EMD2
描述:RF DIODE STANDARD 35V 150MW EMD2 *二极管类型:标准 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:35V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *功率耗散（最大值）:150mW 工作温度:125°C（TJ） 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:EMD2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD452LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236）
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3 *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:30V *电流 - 最大值:30V *不同?vr，f 时的电容:1.5pF @ 15V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:225mW 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
JDV2S07FSTPL3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor 2-SMD，扁平引线 FSC
描述:RF DIODE STANDARD 10V FSC *二极管类型:标准 - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:10V *电流 - 最大值:10V *不同?vr，f 时的电容:4.9pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:- 工作温度:150°C（TJ） 封装/外壳:2-SMD，扁平引线 供应商器件封装:FSC 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP50-03,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-76，SOD-323 SOD-323
描述:RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:50mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:500mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP50-03,135
10+: ￥0.4303 100+: ￥0.4226 1000+: ￥0.4188 3000+: ￥0.4073
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Nexperia USA Inc. SC-76，SOD-323 SOD-323
描述:RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:50mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:500mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
RN142ZST2R
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor GMD2 GMD2
描述:RF DIODE PIN 30V GMD2 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:30V *电流 - 最大值:50mA *不同?vr，f 时的电容:0.45pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 工作温度:150°C（TJ） 封装/外壳:GMD2 供应商器件封装:GMD2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP64-03,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-76，SOD-323 SOD-323
描述:RF DIODE PIN 175V 500MW SOD323 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:175V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:500mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP50-03-TP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Micro Commercial Co SC-76，SOD-323 SOD-323
描述:RF DIODE PIN 50V 200MW SOD323 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:50mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:200mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MBD770DWT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88 *二极管类型:肖特基 - 2 个独立式 *电压 - 峰值反向（最大值）:70V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:1pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DAN235ETL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 EMD3
描述:RF DIODE STANDARD 35V 150MW EMD3 *二极管类型:标准 - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向（最大值）:35V *电流 - 最大值:35V *不同?vr，f 时的电容:1.2pF @ 6V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *功率耗散（最大值）:150mW 工作温度:125°C（TJ） 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMD3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP64-05,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOT-23（TO-236AB）
描述:RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向（最大值）:175V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAR 66 E6327
带卷（TR）
10+: ￥0.1139 100+: ￥0.1119 1000+: ￥0.1109 3000+: ￥0.1078
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Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 PG-SOT23-3
描述:DIODE ARRAY OVP 150V 200MA SOT23 *二极管类型:PIN - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:200mA *不同?vr，f 时的电容:0.6pF @ 35V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *功率耗散（最大值）:- 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
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