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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 二极管类型 不同vr,f 时的电容 电流 - 最大值 电压 - 峰值反向(最大值) 不同if,f 时的电阻 功率耗散(最大值) 包装
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共 1759 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MMDL301T1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-76,SOD-323 SOD-323
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOD323 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):30V *电流 - 最大值:30V *不同?vr,f 时的电容:1.5pF @ 15V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD101LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):7V *电流 - 最大值:7V *不同?vr,f 时的电容:1pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):225mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAR 64-02V H6327
带卷(TR)
10+: 0.0633 100+: 0.0622 1000+: 0.0616 3000+: 0.0599
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Infineon Technologies SC-79,SOD-523 PG-SC79-2
描述:DIODE RF PIN 150V 100MA SC79 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.35pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
BAR 63-02V H6327
带卷(TR)
10+: 0.0633 100+: 0.0622 1000+: 0.0616 3000+: 0.0599
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Infineon Technologies SC-79,SOD-523 PG-SC79-2
描述:DIODE RF SW 50V 100MA SC79 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.3pF @ 5V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA,100MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
BAR 64-05 E6327
带卷(TR)
10+: 0.0633 100+: 0.0622 1000+: 0.0616 3000+: 0.0599
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Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PG-SOT23-3
描述:DIODE RF CC 150V 100MA SOT-23 *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向(最大值):150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.35pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
MMBD701LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):70V *电流 - 最大值:70V *不同?vr,f 时的电容:1pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):200mW 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD352LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向(最大值):7V *电流 - 最大值:7V *不同?vr,f 时的电容:1pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N5711
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35
描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):70V *电流 - 最大值:15mA *不同?vr,f 时的电容:2pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):250mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAR8802VH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-79,SOD-523 PG-SC79-2
描述:RF DIODE PIN 80V 250MW SC79-2 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.4pF @ 1V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA,100MHz *功率耗散(最大值):250mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP64-02,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-79,SOD-523 SOD-523
描述:RF DIODE PIN 175V 715MW SOD523 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):175V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.35pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz *功率耗散(最大值):715mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N5711WS-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated SC-76,SOD-323 SOD-323
描述:DIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD323 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):70V *电流 - 最大值:15mA *不同?vr,f 时的电容:2pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):150mW 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP64-04,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB *二极管类型:PIN - 1 对串联 *电压 - 峰值反向(最大值):175V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.35pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz *功率耗散(最大值):250mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP65-02,115
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. SC-79,SOD-523 SOD-523
描述:RF DIODE PIN 30V 715MW SOD523 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):30V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.375pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA,100MHz *功率耗散(最大值):715mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAP65-02,135
10+: 0.8480 100+: 0.8328 1000+: 0.8252 3000+: 0.8025
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Nexperia USA Inc. SC-79,SOD-523 SOD-523
描述:RF DIODE PIN 30V 715MW SOD523 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):30V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr,f 时的电容:0.375pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA,100MHz *功率耗散(最大值):715mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAT6804WH6327XTSA1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Infineon Technologies SC-70,SOT-323 PG-SOT323-3
描述:DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3 *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向(最大值):8V *电流 - 最大值:130mA *不同?vr,f 时的电容:1pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:10 欧姆 @ 5mA,10kHz *功率耗散(最大值):150mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
1SS351-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向(最大值):5V *电流 - 最大值:30mA *不同?vr,f 时的电容:0.9pF @ 0.2V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):- 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
HSMS-2800-TR1G
带卷(TR)
10+: 0.2784 100+: 0.2735 1000+: 0.2710 3000+: 0.2635
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Broadcom Limited TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:DIODE SCHOTTKY RF SGL 70V SOT-23 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):70V *电流 - 最大值:1A *不同?vr,f 时的电容:2pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
MA4E20541-1141T
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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M/A-Com Technology Solutions SC-76,SOD-323 SOD-323
描述:RF DIODE SCHOTTKY 3V SOD323 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):3V *电流 - 最大值:20mA *不同?vr,f 时的电容:0.3pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:- *功率耗散(最大值):- 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMP1320-040LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Skyworks Solutions Inc. 0402(1005 公制) 402
描述:RF DIODE PIN 50V 750MW 0402 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):50V *电流 - 最大值:150mA *不同?vr,f 时的电容:0.25pF @ 30V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:900 毫欧 @ 10mA,100MHz *功率耗散(最大值):750mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TA) 封装/外壳:0402(1005 公制) 供应商器件封装:402 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMP1321-040LF
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Skyworks Solutions Inc. 0402(1005 公制) 402
描述:RF DIODE PIN 100V 750MW 0402 *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):100V *电流 - 最大值:150mA *不同?vr,f 时的电容:0.25pF @ 30V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:2 欧姆 @ 10mA,100MHz *功率耗散(最大值):750mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TA) 封装/外壳:0402(1005 公制) 供应商器件封装:402 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
HSMS-2820-TR1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):15V *电流 - 最大值:1A *不同?vr,f 时的电容:1pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz *功率耗散(最大值):12 欧姆 @ 5mA,1MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
HSMP-3824-TR1G
带卷(TR)
10+: 0.3670 100+: 0.3605 1000+: 0.3572 3000+: 0.3474
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Broadcom Limited TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:DIODE PIN SWITCH 50V SOT23-3 *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向(最大值):50V *电流 - 最大值:1A *不同?vr,f 时的电容:0.8pF @ 20V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA,100MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
HSMS-2805-TR1G
带卷(TR)
10+: 0.4050 100+: 0.3978 1000+: 0.3941 3000+: 0.3833
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Broadcom Limited TO-253-4,TO-253AA SOT-143-4
描述:DIODE SCHOTTKY RF 70V 1A SOT-143 *二极管类型:肖特基 - 2 个独立式 *电压 - 峰值反向(最大值):70V *电流 - 最大值:1A *不同?vr,f 时的电容:2pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143-4 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
HSMS-2802-TR1G
带卷(TR)
10+: 0.4050 100+: 0.3978 1000+: 0.3941 3000+: 0.3833
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Broadcom Limited TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:DIODE SCHOTTKY RF SER 70V SOT-23 *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向(最大值):70V *电流 - 最大值:1A *不同?vr,f 时的电容:2pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:35 欧姆 @ 5mA,1MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
HSMS-2810-TR1G
带卷(TR)
10+: 0.4303 100+: 0.4226 1000+: 0.4188 3000+: 0.4073
我要买
Broadcom Limited TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23 *二极管类型:肖特基 - 单 *电压 - 峰值反向(最大值):20V *电流 - 最大值:1A *不同?vr,f 时的电容:1.2pF @ 0V,1MHz *不同?if,f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz *功率耗散(最大值):- 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
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