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| 封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税) | 购买数量/库存 | 操作 |
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描述：
GAN FET N-CH 650V PQFN
参数：
*fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:6.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:312毫欧 @ 5A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
|
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）：6.5A（Tc）
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fet 功能：-
功率 - 最大值：21W（Tc）
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参考价格:￥31.764300
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
GANFET N-CH 600V 17A TO220
参数：
*fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:6.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:312毫欧 @ 5A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 11A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 480V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
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fet 类型：N 通道
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描述：
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
参数：
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GANFET N-CH 600V 17A TO220
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参考价格:￥31.764300
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fet 类型：N 通道
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GANFET N-CH 650V 16A PQFN
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参考价格:￥31.764300
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描述：
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
参数：
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GANFET N-CH 650V 20A TO220
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描述：
GANFET N-CH 650V 20A TO220
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GANFET N-CH 650V 20A PQFN
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描述：
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
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描述：
650 V 25 A GAN FET
参数：
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fet 类型：N 通道
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参考价格:￥31.764300
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TP65H070LDG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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参考价格:￥31.764300
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描述：
GANFET N-CH 650V 27A TO220
参数：
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参考价格:￥31.764300
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描述：
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
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参考价格:￥31.764300
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描述：
650 V 46.5 GAN FET
参数：
*fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:6.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:312毫欧 @ 5A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 11A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 480V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 10A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.2nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:720pF @ 480V *fet 功能:- *功率 - 最大值:81W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 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描述：
650V 36A GAN FET
参数：
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描述：
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
参数：
*fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:6.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:312毫欧 @ 5A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 11A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 480V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 10A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.2nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:720pF @ 480V *fet 功能:- *功率 - 最大值:81W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 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描述：
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
参数：
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描述：
GANFET N-CH 650V 35A TO247
参数：
*fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:6.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:312毫欧 @ 5A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 11A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 480V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:180 毫欧 @ 10A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.2nC @ 4.5V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:720pF @ 480V *fet 功能:- *功率 - 最大值:81W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 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最大值:81W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:20A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:130 毫欧 @ 13A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:20A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:130 毫欧 @ 13A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:20A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:130 毫欧 @ 13A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 300µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:900V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:205 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 600V *fet 功能:- *功率 - 最大值:78W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:25A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.8V @ 700µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:25A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.8V @ 700µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.3nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:96W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:27A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:72 毫欧 @ 17A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 400uA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1130pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:104W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:34A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:60 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.8V @ 700µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:119W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:46.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:41 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 0V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:156W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:36A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.8V @ 700µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:46.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:41 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:156W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:47.2A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:41 毫欧 @ 32A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V *Vgs（最大值）:±20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 400V *fet 功能:1500pF @ 400V *功率 - 最大值:187W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:650V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:35A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:62 毫欧 @ 22A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 700µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 8V *Vgs（最大值）:±18V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2200pF @ 400V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
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fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：650V
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）：35A（Tc）
Vgs（最大值）：±18V
fet 功能：-
功率 - 最大值：125W（Tc）
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参考价格:￥31.764300
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