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描述：
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
参数：
*fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:325 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.18nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 20V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装
|
fet 类型：GaNFET N 通道，氮化镓
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）：2.7A（Ta）
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功率 - 最大值：-
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参考价格:￥15.085500
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
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fet 类型：GaNFET N 通道，氮化镓
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TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
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描述：
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
参数：
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|
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|
参考价格:￥15.085500
|
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在售
型号： EPC2019ENG复制
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描述：
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
参数：
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fet 类型：GaNFET N 通道，氮化镓
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参考价格:￥15.085500
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2019ENG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EPC2010CENGR复制
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TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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描述：
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
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fet 类型：GaNFET N 通道，氮化镓
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描述：
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
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描述：
GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE
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描述：
GANFET NCH 60V 31A DIE
参数：
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参考价格:￥15.085500
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GANFET NCH 40V 31A DIE
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描述：
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
参数：
*fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:325 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.18nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 20V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.48nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:300 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:65V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:275 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29pF @ 32.5V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:8.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:50 毫欧 @ 7A、5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:270pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:22A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:25 毫欧 @ 12A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:150 毫欧 @ 3A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.85nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:194pF @ 240V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:60A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:1.5 毫欧 @ 37A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:3.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.3nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39pF @ 20V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:100 毫欧 @ 3A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 100V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:11A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:16 毫欧 @ 11A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V *Vgs（最大值）:+6V，-5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 50V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 15mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V *Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 300V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:GaNFET（氮化镓） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:2.4 毫欧 @ 30A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 5V *Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 20V *fet 功能:- *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:80V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:6.8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 40V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装
|
fet 类型：GaNFET N 通道，氮化镓
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|
参考价格:￥15.085500
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2039ENGRT' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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参考价格:￥15.085500
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描述：
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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描述：
GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE
参数：
*fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:325 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.18nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 20V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.48nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:100V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:300 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 50V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 技术: *漏源极电压（vdss）:65V *电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:2.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 不同id，vgs 时的?rds on（最大值）:275 毫欧 @ 500mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V *Vgs（最大值）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29pF @ 32.5V *fet 功能:标准 *功率 - 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描述：
GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
参数：
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描述：
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
参数：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2035' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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