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Toshiba Semiconductor 东芝

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：64Gb （8G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：153-WFBGA（11.5x13）
料号：C1-3290
包装： 152个/ 托盘
参考价格:￥37.809800
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：4Gb （512M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
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封装：48-TSOP I
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包装： 托盘
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：8Gb （1G x 8）
电压 - 电源：1.7V ~ 1.95V
丝印：
外壳：
封装：67-VFBGA（6.5x8）
料号：C1-4509
包装： 托盘
参考价格:￥37.809800
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可供数量:咨询
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：128Gb （16G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
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封装：153-WFBGA（11.5x13）
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包装： 托盘
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描述： IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb （8G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:128Gb （16G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb （8G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：64Gb （8G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
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外壳：
封装：153-WFBGA（11.5x13）
料号：C1-5167
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：1Gb（128M x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-15378
包装： 托盘
参考价格:￥37.809800
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可供数量:咨询
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描述： IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：
料号：C1-15427
包装： 托盘
参考价格:￥37.809800
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替代：
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存储器格式：闪存
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丝印：
外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-15536
包装： 托盘
参考价格:￥37.809800
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类别： 存储器
替代：
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存储器格式：闪存
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电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-15564
包装： 托盘
参考价格:￥37.809800
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存储容量：128Gb （16G x 8）
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb （8G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:8Gb （1G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:128Gb （16G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb （8G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb （32G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb （32G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:512Gb （64G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:512Gb （64G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:67-VFBGA 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:16Gb （2G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:128Gb （16G x 8） 存储器接口:- 时钟频率:eMMC 写周期时间 - 字，页:52MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:32Gb （4G x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
存储容量：32Gb （4G x 8）
电压 - 电源：2.7V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：48-TSOP I
料号：C1-15628
包装： 托盘
参考价格:￥37.809800
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TH58NVG5S0FTA20' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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