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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 驱动配置 通道类型 驱动器数 栅极类型 逻辑电压 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 输入类型 高压侧电压 - 最大值（自举） 上升/下降时间（典型值） 电压电源 工作温度 安装类型 包装
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共 6417 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
ISL6608CBZ
管件
980
10+: ￥24.7678 100+: ￥24.3255 1000+: ￥24.1044 3000+: ￥23.4409
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Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:管件 数量:980 每包的数量:1
ISL6609ACBZ
管件
980
10+: ￥24.7678 100+: ￥24.3255 1000+: ￥24.1044 3000+: ￥23.4409
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Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:管件 数量:980 每包的数量:1
ISL6612EIBZ
管件
980
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 8-SOIC-EP
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装:8-SOIC-EP 标签: 包装:管件 数量:980 每包的数量:1
ISL6611ACRZ-T
卷带（TR）
6000
10+: ￥25.5525 100+: ￥25.0962 1000+: ￥24.8680 3000+: ￥24.1836
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Renesas Electronics America Inc 16-VQFN 裸露焊盘 16-QFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN（4x4） 标签: 包装:卷带（TR） 数量:6000 每包的数量:1
ISL89165FBEAZ
管件
980
10+: ￥26.8560 100+: ￥26.3765 1000+: ￥26.1367 3000+: ￥25.4173
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Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 8-SOIC-EP
描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装:8-SOIC-EP 标签: 包装:管件 数量:980 每包的数量:1
EL7457CLZ-T13
卷带（TR）
2500
10+: ￥26.0967 100+: ￥25.6307 1000+: ￥25.3977 3000+: ￥24.6986
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Renesas Electronics America Inc 16-VQFN 裸露焊盘 16-QFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QFN *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN（4x4） 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
EL7457CUZ-T13
卷带（TR）
2500
10+: ￥26.0967 100+: ￥25.6307 1000+: ￥25.3977 3000+: ￥24.6986
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Renesas Electronics America Inc 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） 16-QSOP
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QSOP *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:16-QSOP 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
EL7457CSZ-T13
卷带（TR）
2500
10+: ￥27.4888 100+: ￥26.9980 1000+: ￥26.7525 3000+: ￥26.0162
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Renesas Electronics America Inc 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
HIP4083ABZT
卷带（TR）
2500
10+: ￥27.9065 100+: ￥27.4082 1000+: ￥27.1590 3000+: ￥26.4115
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Renesas Electronics America Inc 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
ISL83204AIBZT
卷带（TR）
1000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 20-SOIC
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:20-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:1000 每包的数量:1
ISL6620CRZ
管件
100
10+: ￥29.4379 100+: ￥28.9122 1000+: ￥28.6493 3000+: ￥27.8608
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Renesas Electronics America Inc 10-VFDFN 裸露焊盘 10-DFN（3x3）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:10-DFN（3x3） 标签: 包装:管件 数量:100 每包的数量:1
ISL2111AR4Z
管件
750
10+: ￥30.5263 100+: ￥29.9812 1000+: ￥29.7086 3000+: ￥28.8909
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Renesas Electronics America Inc 12-VFDFN 裸露焊盘 12-DFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:12-VFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:12-DFN（4x4） 标签: 包装:管件 数量:750 每包的数量:1
ISL2111BR4Z
管件
750
10+: ￥30.5263 100+: ￥29.9812 1000+: ￥29.7086 3000+: ￥28.8909
我要买
Renesas Electronics America Inc 8-VDFN 裸露焊盘 8-DFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（4x4） 标签: 包装:管件 数量:750 每包的数量:1
ISL2110AR4Z
管件
750
10+: ￥31.5641 100+: ￥31.0004 1000+: ￥30.7186 3000+: ￥29.8731
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Renesas Electronics America Inc 12-VFDFN 裸露焊盘 12-DFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:12-VFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:12-DFN（4x4） 标签: 包装:管件 数量:750 每包的数量:1
ISL6622IBZ
管件
980
10+: ￥30.3491 100+: ￥29.8071 1000+: ￥29.5362 3000+: ￥28.7232
我要买
Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:管件 数量:980 每包的数量:1
ISL6614ACRZ-T
卷带（TR）
6000
10+: ￥31.7792 100+: ￥31.2117 1000+: ￥30.9280 3000+: ￥30.0768
我要买
Renesas Electronics America Inc 16-VQFN 裸露焊盘 16-QFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN（4x4） 标签: 包装:卷带（TR） 数量:6000 每包的数量:1
ISL6614CRZ-T
卷带（TR）
6000
10+: ￥31.7792 100+: ￥31.2117 1000+: ￥30.9280 3000+: ￥30.0768
我要买
Renesas Electronics America Inc 16-VQFN 裸露焊盘 16-QFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN（4x4） 标签: 包装:卷带（TR） 数量:6000 每包的数量:1
EL7154CSZ-T13
卷带（TR）
2500
10+: ￥32.3740 100+: ￥31.7959 1000+: ￥31.5069 3000+: ￥30.6397
我要买
Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
EL7202CN
管件
50
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Renesas Electronics America Inc 8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 8-PDIP
描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.5ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM） 供应商器件封装:8-PDIP 标签: 包装:管件 数量:50 每包的数量:1
ISL6611ACRZ
管件
75
10+: ￥32.9689 100+: ￥32.3802 1000+: ￥32.0858 3000+: ￥31.2027
我要买
Renesas Electronics America Inc 16-VQFN 裸露焊盘 16-QFN（4x4）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:16-QFN（4x4） 标签: 包装:管件 数量:75 每包的数量:1
EL7155CSZ-T13
卷带（TR）
2500
10+: ￥32.7031 100+: ￥32.1191 1000+: ￥31.8271 3000+: ￥30.9512
我要买
Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT *电压 - 电源:4.5V ~ 16.5V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，3.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14.5ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
EL7156CSZ-T13
卷带（TR）
2500
10+: ￥32.7031 100+: ￥32.1191 1000+: ￥31.8271 3000+: ￥30.9512
我要买
Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT *电压 - 电源:4.5V ~ 16.5V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，3.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14.5ns，15ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
HIP4082IBT
卷带（TR）
2500
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Renesas Electronics America Inc 16-SOIC（3.90MM 宽） 16-SOIC
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，9ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（3.90MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:2500 每包的数量:1
EL7154CSZ-T7
卷带（TR）
1000
10+: ￥33.6396 100+: ￥33.0389 1000+: ￥32.7386 3000+: ￥31.8375
我要买
Renesas Electronics America Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:卷带（TR） 数量:1000 每包的数量:1
ISL2101AAR3Z
管件
100
10+: ￥37.2846 100+: ￥36.6188 1000+: ￥36.2859 3000+: ￥35.2872
我要买
Renesas Electronics America Inc 9-VFDFN 裸露焊盘 9-DFN-EP（3x3）
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:9-VFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:9-DFN-EP（3x3） 标签: 包装:管件 数量:100 每包的数量:1
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