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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 二极管类型 电压 - dc 反向(vr)(最大值) 电流 - 平均整流(io) 不同 if 时的电压 - 正向(vf) 速度 反向恢复时间(trr) 不同vr 时的电流 - 反向漏电流 安装类型 工作温度 包装
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共 41140 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
1N4148TR
10+: 0.9745 100+: 0.9571 1000+: 0.9484 3000+: 0.9223
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Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35
描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:- 数量: 每包的数量:1
LL4148
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 SOD-80
描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4007-TP
10+: 1.1644 100+: 1.1436 1000+: 1.1332 3000+: 1.1020
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Micro Commercial Co DO-204AL,DO-41,轴向 DO-41
描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):1A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
DA2J10100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-90,SOD-323F SMINI2-F5-B
描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI2 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):100mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):3ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:150°C(最大) 包装:- 数量: 每包的数量:1
DA2S10100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-79,SOD-523 SSMINI2-F5-B
描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):100mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):3ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SSMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:150°C(最大) 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4004-T
10+: 1.8478 100+: 1.8148 1000+: 1.7983 3000+: 1.7488
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Diodes Incorporated DO-204AL,DO-41,轴向 DO-41
描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):1A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD914LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAS16LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):6ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4148X-TP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Micro Commercial Co SC-79,SOD-523 SOD-523
描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD523 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):150mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBD914-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
DB2J31400L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-90,SOD-323F SMINI2-F5-B
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SMINI2 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):30mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):1ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:300nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:125°C(最大) 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAS16-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAS16,215
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:DIODE GP 100V 215MA TO236AB *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):215mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 工作温度 - 结:150°C(最大) 包装: 数量:3000 每包的数量:1
BAS16,235
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:DIODE GP 100V 215MA TO236AB *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):215mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 工作温度 - 结:150°C(最大) 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4148W-TP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Micro Commercial Co SOD-123 SOD-123
描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):150mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4148WX-TP
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Micro Commercial Co SC-76,SOD-323 SOD-323
描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):150mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 50mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4007-T
10+: 1.8478 100+: 1.8148 1000+: 1.7983 3000+: 1.7488
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Diodes Incorporated DO-204AL,DO-41,轴向 DO-41
描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):1A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N914BWS
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor SC-90,SOD-323F SOD-323F
描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):150mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标签: 工作温度 - 结:150°C(最大) 包装:- 数量: 每包的数量:1
DA2710100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components 2-SMD,扁平引线 SSS迷你型2-F4-B
描述:DIODE GP 80V 100MA SSSMINI2-F4-B *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):100mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):3ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:2-SMD,扁平引线 供应商器件封装:SSS迷你型2-F4-B 标签: 工作温度 - 结:150°C(最大) 包装:- 数量: 每包的数量:1
BAT54
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:0
BAT54-7-F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Diodes Incorporated TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA(DC) *不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4148WT
10+: 0.4410 100+: 0.2520 1000+: 0.1890 3000+: 0.0693
我要买
Fairchild Semiconductor SC-79,SOD-523F SOD-523F
描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-79,SOD-523F 供应商器件封装:SOD-523F 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4148WS
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor SC-90,SOD-323F SOD-323F
描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):150mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标签: 工作温度 - 结:150°C(最大) 包装:- 数量:3000 每包的数量:1
DB2J31000L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components SC-90,SOD-323F SMINI2-F5-B
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2 *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):200mA *不同 if 时的电压 - 正向(vf):470mV @ 200mA *速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 *反向恢复时间(trr):1.6ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SMINI2-F5-B 标签: 工作温度 - 结:125°C(最大) 包装:- 数量: 每包的数量:1
1N4004
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Fairchild Semiconductor DO-204AL,DO-41,轴向 DO-41
描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 *二极管类型:标准 电压 - dc 反向(vr)(最大值): *电流 - 平均整流(io):1A *不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 17 包装:- 数量: 每包的数量:0
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